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28刁 主鱼鱼IN旦生}A学术会议论文集
大电流对皿一v族氮化物
异质结深电子态的影响 ‘
卢励吾，，张砚华，，孙红·，WeikunGe,W.Y,Ho`,
CharlesSurya`和K.Y.Tong`
a.中科院半导体所材料科学开放实验室，北京912信箱，北京 100083
h.香港科技大学物理系，香港九龙
c香港理工大学电子工程系，香港九龙
，.国家自然科学重点基金资助项目，中科院半导体所材料科学开放实验室和香港科技大学资助项
目
近来，宽带隙A一V族氮化物引起人们普遍的关注。其禁带宽度从InN的1.9eV到AIN的
6.2eV,使它们在光电子领域里有巨大的应用前景，同样在高沮和大功率器件中也有重要的应用.
但遗憾的是，目前还没有理想的衬底材料用于互一V族氮化物薄膜生长.由于外延薄膜与衬底的晶
格常数和热膨胀系数不匹配，在蓝宝玉石衬底上生长的，一V族氮化物薄膜中会引进一些缺陷.它
对抓化物的光学和电学行为将产生明显的影响。
蓝色光发射二极借(LEDS)样品是由NichiaChemicalIndustriesLTD制备的.使用Bio-Rad
DL8000系统进行高灵敏度j10-(ND-N )NTIO-(No-N ))深能级瞬态傅立叶谱(DLTFS)
侧$.
电流冲击之前，样品的电流一电压 “-V)和电荧光(EL)特性分别如图1和2曲线A所示.为
表征样品深能级特性，DLTFS测量是在不同的反向偏压(V.)和固定的1V正向注人周期脉冲(V,)
下完成.NSt9度范围为”-500K.典型的DLTFS谱如图3曲线A所示。在VR二一5.0V和VP
=1.OV条件下观察到位于导带下1.lev的深能级(El)，它具有2.7X10cm-浓度和5X10-
cm的俘获截面。当Vx二一6.0V和V，二工.OV时。
Voltage(V)
r六届全国固休薄膜
全丝iEX.一一— — — — 285
图1 InGaN/AIGaNLED样品的I-V谱
A 电流冲击前
B 电流冲击 (77K,200mA 和40min)后
100
二 IOmA
”
︵
n ︸ . 如 A
闷
山
然
400 450 500 550 600-一已。
Wavelength(nm)
图2 InGaN/AlGaNLED样品的EL谱
A 电疏冲击前
B 电流冲击 (77K,200mA 和40min)后
El朝低温方向移动。这是电场增强电子发射的结果，表明El能级属于电子陷阱。
样品电流冲击是在77K下完成的。电流为100- 200MA之间。电流冲击(200mA,40min)后
观察到明显的畸变。同样电荧光特性也受到影响 图〔2曲线B).
电流冲击后获得的样品DLTFS谱如图3曲线B所示。测里条件与曲线A相同。可观察到
4.21X10cm浓度5X)0cmI俘获截面的El能级(及一
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