超薄Si3N4SiO2叠层栅介质可靠性以及寿命预测研究.pdf

2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 预测 钟兴华林钢 (中科院微电子研究所，北京，100029，中国) 摘要：本文成功地制备出等效氧化层厚度为亚2rim的N／O叠层栅介质膜，并将其与W／TiN 难熔金属栅电极技术结合起来，成功地制备出高质量的超薄N／O叠层栅介质难熔金属栅 PMOS电容。实验结果表明相对于纯氧栅介质而言，N／O叠层栅介质具有更好的抗击穿特性， 应力诱生漏电特性以及TDDB特性。研究结果进一步发现具有更薄EOT的难熔金属栅电极 PMOS电容在TDDB特性以及寿命等方面均优于多晶硅栅电极的相应结构。 关键词： 1 引言 随着器件尺寸以及栅介质等效厚度不断降低，栅介质的可靠性和电学特性已经成为非常重 要的问题。n3为了改善栅介质的可靠性以及其他电学特性，可以采用氮化氧化膜或者高k 材料作为栅介质。‘21将热氮化氧化方法与LPCVDSi龇结合起来可以生长质量优良的N／O 叠层栅介质膜。嘲 目前，有关可靠性的研究主要集中在纯氧或者高k栅介质材料上，而对于将N／O叠层栅可 靠性介质与金属栅电极的结合技术却没有太多关注。在我们的实验中，成功地制备出了“纯 氧+多晶硅栅”，“超薄N／O+多晶硅栅”以及“超薄N／o+金属栅”三种类型的电容，并详 尽地分析了这三种电容的击穿特性，SILC特性以及TDDB特性。实验结果表明N／O叠层栅 介质具有非常好的可靠性，而金属栅电极的引入则可以进一步提高栅介质的可靠性。 2 实验 0 在N(10)，电阻率为2～4Q的衬底硅片上利用标准的硅工艺技术制备PMOS电容样品。 其中多晶硅PMOS电容采用P+栅电极与Ti硅化物的结合技术而金属栅PMOS电容则采用优 化的W／TiN难熔金属栅电极溅射技术。具体的工艺流程以及所用设备的信息如文献[3]所 示。“纯氧+多晶硅栅”，“超薄N／O+多晶硅栅”以及“超薄N／O+金属栅”三种电容的EOT 与我们宴际测得的高{}顼C-V晰线进行拟和而获得的．在实验中．我们利用HP414．qh测试了 三种电容的击穿特性，SILC特性以及TDDB特性，并且根据TDDB的结果预测了栅介质的寿 命。 2005年11月 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 珠海 3 结果与讨论 (1)击穿特性 在测试过程中，我们采用的是HP4145A测试仪。首先将PMOS的衬底接地，栅极接一正向 扫描电压，使得PMOS电容衬底载流子处于积累状态。这样我们获得如图l所示的在电子 积累状态下不同EOT的N／O叠层栅介质的栅隧穿漏电J。与加在多晶硅栅和金属栅PMOS电 容栅介质上的电压V。，(V。。=V。一V伯)的关系曲线，并与纯氧栅介质多晶硅栅电容的曲线进行 了比较。从图1的Jg’V。，曲线中，我们可以看出这三种PMOS电容结构的击穿类型都属于软 击穿范畴。软击穿的特点晡。是漏电流随着栅压不会出现陡直的突然变化，而是渐变的，同 时伴有噪声振荡。另外，从图l中，我们还可以看出EOT为19A的“超薄N／O+多晶硅栅” PMOS电容有明显的一次永久电压击穿点以及相对最低的栅漏电流。而EOT更薄的“超薄 N／O+多晶硅栅”PMOS电容具有相对最高的一次永久电压击穿电以及相对较低的栅漏电流。 之所以产生这种结果一方面是由于注N氧化栅介质膜的质量要优于纯氧化栅介质膜，另一 方面，金属栅电极PMOS电容完全抑制了B穿透现象。这两方面综合作用有利于降低栅漏 电流以及提高一次永久击穿电压。 (2)应力诱生漏电流(SILC) 图2比较了我们所制备的三种不同类型的PMOS电容的应力诱生漏电流特性(SILC)。SILC 产生的主要原因哺。在于当在电容栅极和衬底之间加上比较高的电压应力的时候，电子隧穿 进入或者逸出陷阱所致，所以与栅介质中陷阱密度直接相关。我们分别测了三种电容在3V 恒压，300秒时间前后的J。’V。，特性曲线。这里，我们把栅压(Vox-V。一V伯)看作是加在栅介 质层上的电压。可以看到，在经过恒压测试后，纯SiO。栅介质的栅隧穿漏电流显著增加， N／o叠层栅介质多晶硅栅电容栅隧穿漏电流有很小变化，而W／TiN金属栅电容的栅隧穿漏 电流几乎没有变化。这是因为N／O叠层栅结构物理厚度相对较大，隧穿漏电流较小，因此 由于漏电流而产生的陷阱也较小，因此SILC特性比较