采用CoSi2SALICIDE结构CMOSSOI器件辐照特性的实验研讨.pdf

采用CoSi2SALICIDE结构CMOS/SOI 器件辐照特性的实验研究 张 兴 黄 如 王阳元 北京大学微电子学研究所，北京 100811 e-mail:zhangx@ime.pku.edu.cn 摘要:本文主要讨论了CoSi2SALICII)E结构对CMOS/SIMOX器件和电路杭Y 射线总#P1量辐照特性的影响。通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明， CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOs/Sol电路的源漏寄生串联电阻和局域互 连电阻，而且对Sol器件的杭辐照特性也有明显的改进作用。与多晶硅栅器件相比， 采用CoSi2SALICIDE结构的器件经过辐照以后，器件的阉值电压特性、亚闲值抖率、 泄漏电流、环振的门延迟时间等均有明显改善。由此可见，CoSi2SALICIDE技术是 杭辐照加固集成电路工艺的理想技术之一 1 引言 众所周知，Sol器件具有许多独特的优势，由于它真正实现了介质隔离，而且 源漏结面积很小，因此Sol器件完全消除了体硅CMOs器件中的寄生门锁效应，具 有很好的杭瞬时辐照和杭单离子翻转特性.除此之外，Sol器件还具有寄生电容小、 速度高、可靠性好、工艺简单、集成密度高、特别适合于短沟道和低压低功耗电路 等特点III正因为如此、Sol器件在军事、航空航天等要求高可靠、强抗辐照的领 域得到了广泛r用12[1131为了研究Sol器件的杭辐照机理，人们进行了大量工作， 但到目前为止、大多数有关这方面的工作都集中在研究栅氧化层、埋氧化层、Sol 器件的寄生背沟及边缘效应等对器件辐照特性的影响141151，很少有人研究硅化物对器 件辐照特性的影响 为了降低源漏寄生串联电阻，硅化物是现代CMOs工艺中不可 缺少的枝术，在大多数工艺中，硅化物SALICIDE技术已经成了CMOs标准工艺I伙 因此研究硅41;物对小尺寸Sol器件辐照特性的影响不论是对目前实际应用，还是今 后开发抗辐照加固工艺技术，制造杭辐照性能优良的Sol电路都具有重要的意义。 在众多的SALICIDE技术中，CoSi2具有电阻率低、不容易发生桥接现象等优 点，CoSi2SALICDIE是深亚微米CMOs工艺中最佳的硅化物结构之一f71因此， 本文主要研究CoSi2SALICIDE结构对Sol器件抗辐照性能的影响 ‘ 利用我们开发的杭辐照加固1.Ol.LmCMOs/SOI工艺18191制作了大量的采用CoSi2 SALICIDE结构和采用普通多晶硅栅SolMOs晶体管、反相器、环形振荡器、基本 逻辑单元等器件。然后对这些器件进行辐照实验，比较辐照前后采用硅化物和多晶 硅栅结构器件的特性 通过比较两者的闪值电压、亚闲值料率、泄漏电流以及环振 的门延迟时间发现，采用CoSi2SALICIDE结构对Sol器件的辐照特性有明显改进。 2 器件制造及辐照实验 利用我们开发的全耗尽CMOS/SOI工艺制备了采用CoSi2和丫多晶硅栅的沟道 长度为1.olun的薄膜全耗尽SfMOXMOSFET和CMOS/SIMOX25级环形振荡器。 SIMOX材料的表面硅层和埋幻 L层厚度分别为 100nm和 390nm .栅氧化层采用 H2-02合成氧化技术制备，氧化时的温度为8500C，之后再在9000CN:气氛中退火 30分钟。在该条件下得到的栅氧化层的抗辐照特性较好，且具有较低的界面态密度， 通常小于3.0xl0cmz。多晶硅层栅的厚度为400nmeCoSi2SALICIDE结构采用两 步退火形成，为了防止形成 CoSi2时把有限的表面硅层全部消耗掉，必须严格控制 -552- Co膜厚度。在我们的工艺中，co膜的厚度为25nm。首先在600℃时快速退火20 秒，形成Cosi，利用BF腐性掉氧化硅侧墙上没有发生化学反应的C。膜，然后再 在780℃时退火20秒，形成化学性质稳定的低电阻率的C0Si2.利用该方法得到的 SALICIDE结构如图1所示。该工艺采用的是全离子注入工艺，整个工艺过程中共 包括五次离子注入:即n管调网值注入、p管调闲值注入、多晶硅栅注入、协管源 漏注入和n管源漏注入。其中n和p管调闲值注入的条件分别为:n管:注B千， E=35KeV，D=5xl0cnf2;p管:注P,E=70KeV，D=2x10ctri2。