采用刻槽埋栅方法制作低倍聚光电池的研讨.pdfVIP

．84· 中国太阳能光伏进展 I 采用刻槽埋栅方法制作低倍聚光电池的研究 ． 宋爽励旭东许颖 北京市海淀区花园路3号北京市太阳能研究所有限公司北京100083 【摘要】 我们制作的是平面结聚光硅太阳电池，它的应用光强为十个太阳。采用的是0．5～ 1Q·cm的p型100电池片。因为此聚光电池是用在特殊场合，考虑到栅线的 横截比、周长以及沟槽的形貌对于电池的性能有着极大的影响，所以设计了特 cm×98 殊的栅线结构。选用的硅片尺寸为25 Cm。主栅长97．5 mm、宽2mm， min。细栅长22．6 栅线间距是0．06 mm，间距是0．5mm。通过改变激光机的频 率、电流以及速度，利用显徼镜观察、比对各种沟槽的表面形貌以及沟槽的宽