采用刻槽埋栅方法制作低倍聚光电池的研讨.pdfVIP

．84· 中国太阳能光伏进展 I 采用刻槽埋栅方法制作低倍聚光电池的研究 ． 宋爽励旭东许颖 北京市海淀区花园路3号北京市太阳能研究所有限公司北京100083 【摘要】 我们制作的是平面结聚光硅太阳电池，它的应用光强为十个太阳。采用的是0．5～ 1Q·cm的p型100电池片。因为此聚光电池是用在特殊场合，考虑到栅线的 横截比、周长以及沟槽的形貌对于电池的性能有着极大的影响，所以设计了特 cm×98 殊的栅线结构。选用的硅片尺寸为25 Cm。主栅长97．5 mm、宽2mm， min。细栅长22．6 栅线间距是0．06 mm，间距是0．5mm。通过改变激光机的频 率、电流以及速度，利用显徼镜观察、比对各种沟槽的表面形貌以及沟槽的宽 度，深度。选择合适的条件(沟槽深为45Izm，宽为45Izm)刻出表面平整且适 合化学镀的沟槽。严格的控制反应的时间和反应的温度，使得沉积的金属(Ni —Cu—Ag)致密、均匀。 【关键词’】 刻槽埋栅电池聚光硅电池 oflow·concentratorburiedcontactsilicon Study cell Li Xu SongShuangXudongYing solar researchinstitute Beringenergy co．，ltd，nO．3 road，haidian huayuan district，beOing，100083 0前言 目前，聚光太阳电池主要有聚光硅太阳电池和聚光砷化镓太阳电池两大类。 我们制作的是平面结聚光硅太阳电池，，它类似于常规电池，它的应用光强为十个太阳。 考虑到电池所要求的特殊尺寸，以及影响刻槽电池效率的诸多因素。所以我们在电池设计方 面主要注意以下几个方面：减少表面遮光面积；选用低阻衬底；低掺杂发射极；良好的表面 钝化以及良好的金属接触【l】。 “ 刻槽埋栅太阳电池的制作过程如下： 去损伤层一硅片表面织构化一扩散一刻槽一重扩一制作上、下电极一去边； ^ ● 晶体硅太阳电池及材料．85． 1实验 1．1 电池的基体电阻率 基体电阻率对于聚光电池的性能具有十分重要的影响。 电池工作在很高的光强下，高密度的电流要流过基体，必然要产生较高的电压降，它要 影响电池的输出。聚光电池设计时必须使这种影响尽可能地小，通常这种损失应当低于2％。 采用低电阻率的基体材料是减小这种损失的有效办法。。就11+／p型电池来说，采用低电阻率的 基体有利于提高开路电压。另外基体电阻率越低，背电极和硅的接触电阻也越低【2】。选择合 适的衬底和厚度可以有效地减少电池背面的少数载流子的复合。所以，我们选用的是0．5～ 1Q·cm的p型电池片。图1为刻槽埋栅电池的结构图。 图1 刻槽埋栅电池的结构示意图 1。2特殊的栅线结构 刻槽埋栅太阳电池对于栅线的形状是有一定要求的，聚光硅太阳电池的栅线结构是影响 电池的实际输出和使用寿命的关键因素之一。