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2.1 数字系统的基本运算单元 2.2 开关电路与CMOS结构 2.3 静态分析：最大集成设计 2.4 动态分析：延迟时间及缓冲处理 第二章 数字集成电路的基本单元 VHDL与数字集成电路设计 1 高电平 0 低电平 理想电平: 1 Vcc 0 Gnd 2.2 开关电路与CMOS结构 逻辑值的电平表达 问题：静态功耗太大；难以接近理想电平； 逻辑运算的简单实现 2.2 开关电路与CMOS结构 电路输出利用受输入控制的开关获得信号电平 静态功耗小，电平可以趋于理想化 开关电路的设计思路 2.2 开关电路与CMOS结构 2.2 开关电路与CMOS结构 MOS开关器件的控制原理 2.2 开关电路与CMOS结构 2种MOS开关器件 NMOS 高电平通，低电平断，传递低电平 PMOS 低电平通，高电平断，传递高电平 2.2 开关电路与CMOS结构 t ox n + n + Cross section L Gate oxide x d x d L d Polysilicon gate Top view Gate-bulk overlap Source n + Drain n + W 2.2 CMOS器件的寄生电容 2.2 CMOS器件的栅极电容 Cut-off Resistive 2.2 CMOS器件的寄生电容 2.2 NMOS寄生电容特性 Bottom Side wall Side wall Channel Source N D Channel-stop implant N A 1 Substrate N A W x j L S 2.2 NMOS寄生电阻特性 25 nm FINFET MOS transistor 2.2 新型FinFET 器件 CMOS互补逻辑结构 每个输入连接1N1P，N串联表达与，N并联表达或 2.2 开关电路与CMOS结构
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