双扩展忆阻器纳米结构模型与特性研讨.pdfVIP

中文摘要 中文摘要 忆阻器是继电阻、电容、电感之外的一种新型电路元件。忆阻器的概念是由 美国蔡少棠教授于1971年提出并命名的【l】，2008年美国皿实验室制作出第一个 实用的忆阻器模型。由于忆阻器在数据存储、神经网络模拟和电路设计等众多领 域具有广泛的应用前景，因此忆阻器出现不久便受到了全世界的广泛关注。 本文在对忆阻器基本工作原理学习、研究的基础上，提出了一种新型 出的忆阻器为基础，在本征Ti02层与铂纳米线之间增加一层纳米TiQ呶薄膜，形 成～Ti02-。用晓倒02+m结构，由于引入双扩展效应，极大的提高了忆阻器的开 关速度，很好的满足未来数字电子技术发展的要求。 论文第一章首先简单介绍了忆阻器的国内外发展现状，然后介绍了美国船实 验室忆阻器模型、电子自旋阻塞忆阻器模型和新型电子自旋阻塞忆阻器模型等， 最后对忆阻器理论模型分析、生物研究和存储器制造等领域的应用前景进行了展 望。论文第二章重点介绍了削Ti02√ri02爪02唰吼纳米结构双扩展忆阻器的基本 工作原理、结构模型。第三章首先给出了双扩展忆阻器的工艺制作原理和工艺流 程，然后给出了双扩展忆阻器的模型和实物图。第四章首先给出了铂纳米线的V—l 特性曲线，通过曲线计算得到铂纳米线电阻值为5kQ。然后给出了双扩展忆阻器 V-I特性曲线，测得当电压为+3v时，正向电流为6．0×l0．8A，此时双扩展忆阻器 功率为6×1伊8W。最后给出了双扩展忆阻器的重复性衄线和V4特性迟滞曲线， 测试结果表明双扩展忆阻器重复性好且能够实现忆阻功能。第五章为本文的结论。 薄膜：双扩展忆阻器特性 ㈣吣 994 neWidealcirCuitel锄e鸲a Tlle iscon℃emedonthe of也e paper propenies was elemem foumlidealcirCuit memristor．TheeXiStenceoftllememriStoras也e in1 basedLeon 971 predicted by ill mebroad of nle矗rSt memriStorl，2008．As proSpect desigll e)【p喇melltal May silnulationandcnuit hasreceiVed m desigIl，memristor applica：tionda协storage，neural theworldwidea_谯ention of w油衄ee nano-fihns We double memriStor layers proposed eXpansion 0n