工业硅粉的直接氮化过程研讨.pdfVIP

中国工程热物理学会 燃烧学 学术会议论文 编号：094270 工业硅粉的直接氮化过程研究 杨 春， 程乐鸣 ，万金雄，朱茜茜， 骆仲泱∗ (浙江大学热能工程研究所，能源清洁利用国家重点实验室，杭州310027) (Tel:0571 Email: lemingc@zju.edu.cn) 摘要：通过对三种牌号（3N、441 、Si-1）的工业硅粉在不同温度下氮化实验发现，氮化过程分为动力 学反应控制阶段和扩散控制阶段两个阶段，扩散控制阶段持续时间较长，氮化硅在该段时间内生成呈 线性。产物SEM 分析表明硅粉氮化反应是一个VLS 机理的晶体生长过程，由于表面氧化严重，3N 硅 粉虽然粒径较小但表现为包覆晶体生长，而441 硅粉和Si-1 硅粉由于硅蒸发速度的不同表现为垂直硅 表面的晶体生长和包覆晶体生长。 关键词：硅粉；氮化；热重；氮化硅 0 前言 氮化硅（Si N ）是一种难熔且化学稳