半导体材料与器件（林仕伟）第一讲 半导体基础.pptVIP

Chapter 1 Carrier Modelling载流子模型——基本半导体理论 Valence band model of solids 价键模型 Valence band model of solids (cont.) Valence band model of solids (cont.) Energy band model of solids 能带模型 Energy band model of solids 能带模型 Valence band model vs energy band model of Si 载流子特性 电荷 1.6X10-19C 有效质量 Carrier numbers in semiconductors Extrinsic or doped semiconductors 非本征或掺杂半导体 Band gap of semiconductors Density of states function 态密度函数 Near the bottom of the conduction band (i.e. for electrons) Fermi-Dirac distribution function 费米分布函数 Equilibrium carrier distribution 平衡载流子分布 -Intrinsic Equilibrium carrier distribution 平衡载流子分布- extrinsic Equilibrium carrier distribution 平衡载流子分布 Equilibrium carrier distribution 平衡载流子分布 Equilibrium carrier concentration 平衡载流子浓度 where Nc and Nv are the effective density of states in the conduction band and valence bands, respectively. Intrinsic carrier concentration and intrinsic Fermi level Summary of intrinsic semiconductor Extrinsic or doped semiconductors (cont.) Carrier concentration in doped semiconductors Exercise 2.5 问：每立方厘米的硅样品中掺有1014个硼原子。（a）在温度T=300K时，硅样品中的载流子浓度是多少？（b）在温度T=470K时，硅样品中的载流子浓度是多少？ Fermi level in doped semiconductors掺杂半导体中费米能级的确定 Fermi level in doped semiconductors (cont.) Fermi level in doped semiconductors (cont.) Exercise 2.6 在每立方厘米的硅样品中掺有1014个硼原子，试确定，在室温下，硅样品中Ei的位置并计算EF-Ei，在能带图中仔细画出Ei和EF的位置。 Quasi-Fermi level (non-equilibrium) 表2.4 载流子建模公式总结 P46-47 习题2.16 与浓度有关的问题： 习题2.17 求在下列条件下，均匀掺杂硅样品中平衡状态的空穴和电子浓度： 习题2.17 求下列条件下，均匀掺杂硅样品中平衡状态的空穴和电子浓度 T=300 K，NAND，ND=1015/cm3 T=300 K, NA=1016/cm3，NDNA T=300 K，NA=9x1015/cm3，ND=1016/cm3 T=450 K，NA=0，ND=1014/cm3 T=650 K，NA=0，ND=1014/cm3 习题2.18 对于习题2.17的每一种情况，求Ei的位置，计算EF-Ei并在硅样品的能带图中仔细标出它们的位置。注意：在450K时，EG(Si)=1.08eV；在650K时，EG(Si)=1.015eV。 T=300K，NAND，ND=1015/cm3 T=300K, NA=1016/cm3，NDNA T=300K，NA=9x1015/cm3，ND=1016/cm3 T=450K，NA=0，ND=1014/cm3 T=650K，NA=0，ND=1014/cm3 mn*/m0=1.18; mp*/m0=0.81 Eo : Vacuum level i.e. the top of conduction band Ec : b