GaN+MOCVD生长速率及表面形貌随生长工艺参数的变化研究.pdfVIP

GaN MOCVD 生长速率及表面形貌随生长工艺参数的变化† † 符 凯 张 禹 陈敦军 韩平 谢自力 王荣华 张荣 郑有炓 （南京大学物理系，江苏省光电信息功能材料重点实验室，南京 210093 ） 摘 要：本工作根据现有GaN 金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)生长动力 学理论，结合具体的MOCVD 反应腔体的构造，用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOCVD 生长过程中 的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟。结果表明，在950-1350 K 的温度范围内反应气体充分热分解，是适 合GaN 外延生长的温度区间；温度低于950 K ，反应气体未能充分地分解，导致较低的生长速率；而温度高于1350 K 则Ga 组分的脱附现象开始变得严重，从而抑制GaN 的生长速率。另一方面，较高的V/III 也会抑制GaN 的生长速 率。生长过程中表面形貌随时间的演变结果显示，GaN 薄膜在高温下(1073~1473 K)为2D 层状生长，在1373 K 的温 度下生长的GaN 薄膜表面最为平整。 关键词：GaN ；CFD ；蒙特卡洛；计算机模拟 1 引 言 当前，关于氮化物半导体的研究取得了很大的进展，GaN 基发光二极管(LED)、激光器(LD)都 实现了商品化生产。氮化物半导体因其较高的电子迁移率、电子漂移速率和热导率在高频大功率电 子器件方面也有着重要的应用价值。GaN 材料的制备主要是采用MOCVD 技术，其基本原理是将低 压汽态的金属有机物稀释于输运气流中注入反应室内，输运气体把反应物输运到被加热的高温基座 上的载片表面，反应物气体在载片表面分解、反应，沉积形成厚度从几纳米到几微米的晶体定向生 长层薄膜。 利用MOCVD 生长GaN 的机制非常复杂，目前关于GaN 的MOCVD 的生长机制还未有一个统 一的认识。D. Sengupta 等建立了一个完整的模型，该模型涉及气相反应与表面反应，并采用CFD 模 [1] 拟，对GaN MOCVD 的生长机制进行了描述 。在他的模型中，一甲基镓 (分子式Ga(CH ) ，简写 3 作 MMGa) 、MMGa:NH 是气相反应生成的两种最重要的基团，这些基团直接参与了GaN 的表面生 3 长过程。T.G. Mihopoulos 等则认为在GaN 的MOCVD 生长过程中，气相反应的主要途径是形成了一 [2] 种特殊的“Ga-N”环状分子，这些环状分子在衬底表面大量形成，从而导致 GaN 薄膜的生长 。D. Moscatelli 等提出了一种稳定的气相GaN 环状加合物，这种物质是外延GaN 薄膜中Ga 的最主要的 [3] [4] [5] 直接来源 。最近，K. Kusakabe 和A Hirako 等综合了以上两类观点，提出了由不稳定的基团和稳 定的环状分子共同提供GaN 薄膜的生长的观点。 目前关于GaN 的MOCVD 的生长机制的讨论主要集中在气相反应的主要途径方面，而有关于 GaN 薄膜成核、成膜的原子尺度的描述尚未有报道。探索成膜的最佳工艺条件是材料生长的主要问 题之一。计算机模拟理论恰好提供了一个有效的研究手段。本文就采用计算流体力学(Computational Fluid Dynmics ，CFD)方法和动力学蒙特卡洛(kinetic Monte Carlo ，KMC)方法对GaN 薄膜的生长速率 † 基金项目资助：国家重点基础研究发展规划973 （2006CB6049 ）；国家自然科学基金（603907260421003， ）；教育部重大项目(10416) ；高等学校