led制作与封装.ppt

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led制作与封装

2.1 LED的衬底材料 蓝宝石衬底   硅衬底 ? ? 目前有部分LED芯片采用硅衬底。硅衬底的芯片电极可采用两种接触方式,分别是L接触和 V接触。通过这两种接触方式,LED芯片内部的电流可以是横向流动的,也可以是纵向流动的。由于电流可以纵向流动,因此增大了LED的发光面积,从而提高了LED的出光效率。因为硅是热的良导体,所以器件的导热性能可以明显改善,从而延长了器件的寿命。 碳化硅衬底 ? ? 碳化硅衬底(美国的CREE公司专门采用SiC材料作为衬底)的LED芯片电极是L型电极,电流是纵向流动的。采用这种衬底制作的器件的导电和导热性能都非常好,有利于做成面积较大的大功率器件。 三种衬底性能比较 2.2 LED外延工艺技术 2.3 LED的芯片技术 2.4 LED的封装技术 2.5 白光LED技术 2.6 LED的散热技术 2.功率型LED封装技术 1 LED的封装形式与结构 提纲 1 LED的封装形式与结构 Lamp-LED早期出现的是直插LED,它的封装采用灌封的形式。 1) Lamp-LED封装 2) SMD封装 表面贴装技术(SMT)应用于LED生产始于20世纪80年代,表面贴装是LED一种重要的封装形式。 表面贴装LED与其他表面贴装器件(SMD)一样,适合于自动化大规模生产,并且适应电子整机产品轻薄短小的发展要求。 侧光型、高亮度型 13.6 8 3.1 X 1.7 1206 11.2 6 2.1 x 1.35 0805 向0402发展 8.5 5 1.7 X 0.9 0603 双色和三色组合封装 8.5 5 3.2 X 2.8 PLCC-4 单芯片有利于散热 17 lO 3.2 X 3.0 PLCC-2 说明 最佳观察距离(m) 最小间距 外形尺寸 封装形式 表面贴装LED的有关尺寸 3) 多芯片集成封装 目前大尺寸芯片还存在散热和发光均匀 性及发光效率下降等问题。由于小芯片 工艺相对成熟,将多个小尺寸芯片高 密度地集成在一起封装而成的功率型 LED,可以获得较高的光通量。 2.功率型LED封装技术 功率型LED 功率型LED封装技术 功率LED的热学计算 热传导理论 其中Δt为温度差,P为流过介质热量,λ为热导系数,Α为热导面积,δ为介质厚度 LED芯片 芯片粘接剂 热沉 电路基板 温度计算 一颗1mm*1mm*0.1mm的LED芯片,热功率为1W,通过硅胶与封装基板连接,硅胶层厚度20um,热导率1W/K*m,求硅胶上下面温度差。 相同的芯片,通过银胶与封装基板连接,银胶层厚度20um,热导率6W/K*m,计算该上下面温度差。 封装基板 目前常见的大功率LED封装基板有PCB、MCPCM金属覆铜板、Al2O3陶瓷和AlN陶瓷。 类型 热导率 W/mk 膨胀系数 ppm/K 耐热性能 PCB 0~3 15 300℃/120s 金属覆铜板 1~5 22 288℃/30s 陶瓷 基板 氧化铝 ~20 7 500℃ 氮化铝 ~180 5 500℃ 各类封装基板比较 2人造白光的合成 3白光LED的实现方法 1可见光光谱与白光LED的关系 提纲 4白光LED存在的问题及对策 5荧光材料 6白光LED的特性 1可见光光谱与白光LED的关系 2人造白光的合成 白光的合成 3白光LED的实现方法 1)荧光粉转换(PC) LED 蓝光InGaN LED的结构 InGaN/YAG白光LED的结构 InGaN/YAG白光LED制作工艺流程 20mA、250C时的白光LED的光谱 白光LED和其他可见光LED的色坐标 蓝光LED芯片配合YAG荧光粉获得白光LED的方法的 优点是:结构简单,成本较低,制作工艺相对简单,而且YAG 荧光粉在荧光灯中应用了许多年,工艺比较成熟。 该实现方法的缺点主要有: (1)因蓝光LED的效率还不够高,致使白光LED的光效较低。 (2)用短波长的蓝光激发YAG荧光粉产生长波长的黄光,存 在能量损耗。 (3)荧光粉与封装材料随着时间老化,导致色温漂移和寿命 的缩短。 (4)难以实现低色温(白光偏向暖色),显色指数一般较低 (70~80)。 (5)光色随电流变化,易出现月晕现象。 (6)功率型白光LED还存在空间色度均匀性等问题。 2)三基色荧光粉转换(PC) LED 三基色PC LED能在较高发光效率 的前提下,有效地提升LED的显色 性。三基色光源的最佳组合波长为 450nm、540nm和610nm,这一 组合可以通过部分被吸收的 AlInGaN

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