半导体量子点中双激子的双光子共振吸收研究.pdfVIP

摘 要 半导体量子点是一类重要的纳米材料，半导体在基体中生长形成具有纳米尺寸的 量子点，这是一个三维受限的准零维结构，具有显著的量子尺寸效应、库仑阻塞效应、 介电受限效应和电光效应等许多不同于三维固体体材料的新现象、新效应.量子点内 载流子的运动受到限制，加强了空穴和电子云的重叠，导致了激子束缚能的增加.光 子和激子强烈的9合作用使得量子点的三阶极化率x大大增强，显著地影响了半导 体量子点中光的传播和吸收 本文先从基本的非线性光学三阶极化率出发，分析半导体量子点中双激子的双光 子共振吸收三阶极化率，得到z个入射频率光电场和只有1个入射频率光电场的简并 情况下双光子共振吸收三阶极化率，讨论了三阶极化率的实部和虚部在双光子共振频 率附近的行为，随着共振频率宽度的增大，三阶极化率的实部和虚部很快减小，三阶 极化率敏感地依赖于共振频率宽度的大小. 量子理论首先基于密度算符及其运动方程，利用微扰理论的方法，导出非线性光 学极化率张量表示式.发现在单光子共振和双光子共振吸收时的三阶非线性极化率的 频率分布的变化情况刚好相反.对于己经观察到双激子态的三种典型的半导体量子 点，根据实验得到的双激子态的束缚能和三阶极化率，理论预测了双激子态的双光子 吸收系数. 最后，本文分析和比较了两种理论所得结果. Abstract Semiconductorquantumdots(QD)arequasi-ODstructures.Themovementoffree carriersisthree-dimensionallyconfinedinsuchamesoscopicsystemasSemiconductor QDs,whichresultsinasurprisingvarietyofnewinterestingpropertiesthatarecompletely differentfrombulkmaterialssuchasquantumsize-dependenteffects,Coulombblockade effectsanddielectricconfinedeffects.Insemiconductorquantumdots,carriersare confinedinallthreespatialdimensions,whichsubstantiallyenhancestheoverlapbetween holesandelectronclouds,andleadtotheenhancementofthebindingenergyandoscillator strengthofexciton.Thestrongcouplebetweenphotonandexcitoninquantumdotsvery muhincreasesthethirdordersusceptibilityx)，andputsagreateffectonthelight propagationandabsorptioninQDsmaterials. Basedonthebasicrelationofthethird-ordersusceptibilityinnonlinearoptics,the two-photonabsorptionofthebiexcitoninsemiconductor dotsisanalyzed.The third-order susceptibilityinthedegeneratecaseis anddiscussed.Sharp sturcturesareseenatthebiexcitonresonance.Thetwo-photonresonanceissensitivetothe off-resonancevalueofthetransition Itisfoundthatthefrequencydispersionofthethird-ordernonlinearsusceptibility x)showsanout-of-phasebehaviorattheone-andtwo-photonresonances,whichis characteristicoftheexcitonandbiexcitontransitions.Fortypicalmaterialswhi