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第15卷第10期 光学精密工程 v01．15No．10
andPrecision
2007年10月 optics
文章编号 1004—924X(2007)10一1463一06
阶段离子束辅助法制备基频减反膜
张大伟1’2，黄元中1，贺洪波2，邵建达2，范正修2
(1．上海理工大学光学与电子工程学院，上海200093；
2．中国科学院上海光学精密机械研究所光学薄膜中心，上海201800)
摘要：在研究阶段离子束辅助制备方式对薄膜性质影响的基础上，采用电子枪燕发及离子束辅助沉积翻备了氧化铪及氯
化硅单层膜．采用阶段离子束辅助沉积及全程非离子柬辅助沉积制备了基频减反膜。测量了所有样品的弱吸收、残余应
力和激光损伤阔值．结果发现，相对电子枪热蒸发制各的样品．离子束辅助沉积的单层膜具有大的弱吸收、低的激光损
伤同值，且张应力减小，压应力增加；阶段离子束辅助沉积制备的减反膜剩余应力变小，弱吸收稍微增加，激光损伤闲值
从10．91J／cm2增加刊18
J／c群。分析表明，离子束辅助沉积在引入提高样品激光损伤阈值有利因素的同时，也引人了
不利因素，阶段离子柬辅助沉积在引入有利因素的同时，有效减少了不利因素的引人．从而提高了样品的激光损伤闭值。
关t词：离子束辅助沉积；激光掘伤网值；残反膜I弱吸收I应力
中厢分类号：0484．4文献标识码：A
AntireflectiVefilm ionbeama鼹isted
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