利用变分方法分析深亚微米MOS器件中的短沟效应研究.pdfVIP

利用变分方法分析深亚微米MOs器件 中的短沟效应 陈文松，田立林，李志坚 清华大学微电子学研究所，北京，100084 摘要 本文利用求解泊松方程的变分方法导出了表征器件短沟效应的自然沟长尺度表达 式。均匀掺杂沟道体硅MOSFET、本征掺杂沟道体硅MOSFET和SOIMOSFET短沟效应 数值模拟比较结果与模型结论完全一致，表明模型能对不同器件结构的细致差别正确模 拟。由于同时考虑了栅介质、沟道耗尽层和埋层中的二维效应，本模型可用于分析电学有 效栅氧厚度近似的有效性。结果表明此近似只在介电常数较小时有效。 一，引言 短沟效应是限制MOSFET进一步缩小的主要因素之一，它将使器件亚闲特性蜕变，导 致亚闽电流增大;同时，短沟效应还会使器件的开启电压随沟道长度显著变化，从而影响 器件性能的一致性。所以为优化设计MOs器件，必须对形成短沟效应的物理原因和规律 有比较深入的认识。本文利用变分方法m[对体硅和SOIMOSFET提出了统一的短沟效应模 型。 由于模型本身的广泛适用性和同时考虑了前栅介质层、硅层和背栅介质层的二维效 应，所以利用它很适合做不同器件结构的短沟效应比较研究。我们在第二节对模型的推导 作了必要的描述，导出了表征短沟效应的自然沟长尺度121的表达式 在第三节中利用此模 型对体硅和SOI中的短沟效应进行了比较研究。模型结果与器件模拟的一致性表明了我们 所提出模型的有效性。第四节利用我们的模型对电学有效栅氧厚度近似的有效性作了分 析，表明此近似只在栅介电常数较小时有效。最后对本文的结果作了总结。 二，模型描述 利用变分方法求解泊松方程的一个显著特点是由于采用积分形式，允许在求解区域中 电介质常数不连续。所以可以把由前栅介质、硅层和背栅介质(对于体硅它的厚度为零)构 成的求解区域当作一个整体看待，如图1所示的矩形区域 坐标z轴沿沟道方向，Y轴沿 垂直沟道方向。利用叠加原理，所需求解电势可分成三部分 I 小(X,Y)=中O(Y)+娜s(x,Y)+4}n(X,Y) 其中},(y)为满足上下边界条件的长沟解 而A}s(x,Y)和O}n(X,Y)为分别满足源端和 漏端边界条件的解。(我们假设源和漏相距较远，它们引起的二维效应可以分别考虑n{1)利 用最小位能原理，M,(X,Y)在满足边界条件的同时必最小化如下泛函 。·。:(，，·)、卜;*、一杠ao}},Y))2+a(e}},Y)}2一{ 其中，d二与+ty十与为前栅介质厚度·硅层厚度和背栅介质层厚度总和，蒯为区 域中材料的介电常数，假定它沿沟道方向不变化(在实际器件中一般都满足)。由于只考虑 源端影响，在沿沟道方向积分至无穷。 391- 为获得简单的解析表达式，假定A},(x,Y)形式为It] 幼,(x,Y)二△中,(Y)人(x) (2) 其中4中,(Y)=电(Y卜札(Y)为W,A边界条件与长沟解之差。把((2)式代入(1)并极小化之 可得.f,(x)满足如下常微分方程 I.f,(x)一/、()‘=0 (3) 其中 ，=(fdEY()AosY()zd11}oEY()AoslY()2dY} (4) 由(3)式可