太阳能电池制造工艺及生产线.ppt

层压 叠层 电池串焊 装框 测试分档 在铝边框槽内打上硅胶，将边框装好固定，用硅胶把接线盒固定在背面。该过程用于提高组件的机械性能和用于保证组件的电性能输出。 层压 叠层 电池串焊 装框 测试分档 采用太阳能模拟器测试组件I-V电性能，根据组件电性能高低进行分档、包装入库。 青海多晶硅公司生产 西安太阳能光伏企业生产 理工大工厂晶体生长设备 六 西安光伏项目简介 项目名称：中电投西安1000MW太阳能光伏电池项目 建设地点：西安国家民用航天产业基地，征地1000亩 建设规模：总体规划为年产1000MW太阳能电池片及250MW电池组件。 建设周期：2015年前全部建成。 项目总投资：约50亿元人民币。　　 1000MW光伏电池及组件项目 1 1000MW光伏电池项目 1000MW光伏电池项目 1000MW光伏电池及组件项目一期工程概况 项目一期工程包括建设200MW单面太阳能电池片和50MW组件。一期征地315亩。 根据初设概算，一期工程计划投资15.9793亿元人民币。其中，工程26884万元，设备85762万元，安装2518万元，项目由黄河公司独资建设。 一期200MW工程概况 制绒 扩散 刻蚀 PECVD 印刷 烧结 分选 自动化 串焊 叠层 层压 装框 测试 Click to edit company slogan . 中电投西安太阳能电力有限公司 * 正面栅线设计 * 正面栅线设计 细栅线数：44 最边缘的细栅线到电池边缘的距离为1.7mm 0.125×44＋1.7×2＋43×2.7＝125 两根细栅线之间的距离为2.7mm 主栅线的宽度1.5mm 铝背场工艺 太阳能电池铝背场的研究 提高电压的机制 p qVn+-p EFp EFn+ n＋ Pn结能带图及其开路电压 qVn-p n qVn+-p EFp EFn+ n＋ p EFn qVn+-p-n+ 背靠背扩散后能带图及其电压 这里 很明显 WP W2 W P+ W1 Wn qV2 p＋ Sn+ EFp＋n qV Sn p q（Vn＋-P-V1） EFn+ qV1 EFp q（VP-P+-V2） n＋ 铝背场烧结后在背面形成了p+层，提高了开路电压。 降低表面复合速度 背面复合速度随烧结温度升高、Al沉积量的增大减小。 背反射效果 Al背反射器对红光的反射率随膜厚增大减小，随温度升高减小。 比较好的BSF的烧结温度在800℃－850℃，当在硅片上Al层在高温下烧结时后，SIMS数据显示在硅片的各个部分BSF很不均匀，这是因为沉积的铝层比较薄，且硅铝的不理想共熔。腐蚀掉表面铝后，硅片表面的SEM图显示硅片表面很粗糙，这可认为是硅优先熔融的结果，与硅片断层的密度，铝层与硅片的粘结性和晶粒的取向有关。 经研究发现，烧结后，铝层和硅表面有一些裂痕，这些裂痕增大了表面复合速度。 当硅片背面沉积铝或丝网印刷铝后，烧结温度越高，硅片对长波段光的反射率越低，但接触越好。因此，在烧结BSF时，必须选择一个合适的温度，以使其具有较好的反射效果和较好的欧姆接触。 铝的吸杂钝化效果 一些研究者发现铝的存在会在多晶硅内引入深能级提高晶界（GB）的势垒。 铝BSF对GB势垒的提高与退火过程中铝陷阱对快速扩散金属杂质吸杂有关，也可能是扩散的铝原子对晶界处悬挂键的饱和作用。 当温度比共熔点（557℃）高很多的情况下，金属原子在硅－铝合金的溶解能力比硅中大的多。 在快速冷却（60K min-1）工艺中，快速扩散金属离子由于淬火过程保留在了铝扩散区。 当将铝背场与氮化硅膜同时应用于多晶硅太阳能电池的生产时，正表面的SiNx诱导氢化和背面Al-Si合金对提高少子寿命有相互促进作用。 烧结 通过高温烧结过程使电极与半导体形成欧姆接触。金属/硅之间接触性能的提高对电池光电转换效率的提高非常重要。 串联电阻每升高1 Ω-cm2，FF降低0.041（假设并联电阻足够大）。 材料参数、工艺条件（例如发射极背面浓度、金属材料的选取、印刷方法、烧结条件等）对形成好的电极接触性能非常重要。 接触形成机理包括，高温烧结（700℃－800℃）、玻璃体的流化、表面湿化、腐蚀减反射膜和硅发射极等。 金属浆料需要好的流变学性能、好的电导率、好的可焊性等。金属浆料包括玻璃粉（SiO2, B2O3, PbO和ZnO），金属粉（表面浆料为Ag，背面浆料为Ag/Al）及粘结物质。 * 烧结的动力学原理 烧结可看作是原子从系统中不稳定的高能位置迁移至自由能最低位置的过程。厚膜浆料中的固体颗粒系统是高度分散的粉末系统，具有很高的表面自由能。因为系统总是力求达到最低的表面自由能状态，所以在厚膜烧结过程中，粉末系统总的表面自由能必然要降低，这就是厚膜烧结的动力学原理。 固体颗粒具有很大的比表面积