神经MOS晶体管在A／D和D／A转换器中的应用.pdfVIP

维普资讯 2007年 第 lO期 第 249 神经MOS晶体管在A／D和D／A转换器中的应用 杨 洲 ，何怡 刚 (湖南大学 电气与信息工程学院 湖南 长沙 410082) 摘 要 ：神经 MOS晶体管是一种具有多输入栅加权信号控制和 阈值可调控 的高功能度 的新型器件。以神经 MOS晶体 管的Pspice宏模型为模拟和验证的工具 ，讨论 了基于这种器件的A／D和 D／A转换器的设计 思想和方法 ，证 明了他能很大程 度地减少晶体管教 目，简化 电路 ，对实现 高密度集成的U1SI系统的设计和实现有重要意义 。 关键词 ：神经 M0S晶体管 ；宏模 型；A／D；D／A 中图分类号：TN71O．2 文献标识码 ：B 文章编号 ：1004—373X(2007)10—001—03 DesignofA／DandD／AConvertersUsingNeuronMOSTransistor YANG Zhou，HE Yigang (CollegeofElectrical＆ InformationEngineering，HunanUniversity，Changsha，410082，China) Abstract：VheneuronMOStransistorisarecentlydiscovereddevicewhich iscapableofexecutingaweightedsum calcula— tionofmuhiphinputsignalsandthresholdoperationbasedontheresultofsummation．Inthispaper，A／DandD／Aconverters realizedbyusirgneuronMOStransistorisdiscussed，Thisapproach isbasedonanew macromodelofneuronMOStransistor， whichisusedasmeansofdesignandverification，Itisverifiedthatadramaticreductioninthenumberoftransistorsaswellas inthecomplexityofinterconnectionshasbeenachievedbyusingneuronMOStransistor． Keywords：neuronMOStransistor；macromodel；A／D；D／A l 引 言 中给出了他 的版 图、简化示意图和表示符号 。 肇 在过去的几十年里 ，微 电子技术 ，特别是硅集成 电路 技术取得了非常惊人的进步 ，其方 向主要是通过不断缩小 器件 的特征尺寸提高芯片的集成度 。尽管按 比例缩小理 论在增强器件性能方面 已经取得很大成功 ，但是不能不看 剑 。相 当多的严重 问题也陆续暴露 出来 ，诸如 ：材料特性 ， 小尺寸器件 的特性 以及 UISI电路和系统 的没计等等 。 为了继续保持集成效率不断提高的趋势，并开发现有工艺 图 1 神经 MOS晶体管的结构示意 图、布局和表示符号 加工没备 的内在潜力 ，必须在器件和电路 的设计概念上有 神经 M()S晶体管实际上是一个具有多输入栅的浮栅 新 的突破。神经 MOS晶体管 (NeuronM()SFET，Neu—