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第10章结晶 4
*;结晶技术的特点和用途;图10.1降膜式蒸发结晶器;;图10.3 湖北潜江永安制药厂30 台结晶器(浙江双子机械制造有限公司);图10.4 蒸发器结晶器(温州泰泰化工机械厂生产) ;本章知识要点;本章知识要点;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;10.2.4 凯尔文(Kelvin)公式;*;*;10.2.5 温度与溶解度的关系;10.2.6 影响溶液过饱和度的因素;10.2.7 晶核的形成;10.2.8 结晶过程的实质;10.2.9 结晶的步骤;*;10.2.10 形成过饱和溶液的技术;10.2.10 形成过饱和溶液的技术;10.2.10 形成过饱和溶液的技术;10.2.10 形成过饱和溶液的技术;*;*;*;*;*;2.晶核的成核速度;3.成核速度的近似公式;4.晶种控制;5.晶体生长的扩散学说;6. 晶体生长的推动力;*;7. 总质量传递速度方程;8. 为了简化方程的假定;*;*;*;*;*;*;量子原子团纳米晶体;硫酸镁溶液中的结晶体 ;燕鸥身上提取的流感病毒神经氨酸酶晶体 ;巴西玛瑙中的铁质 ;10.4 常用的工业起晶方法***;10.4 常用的工业起晶方法***;3. 刺激起晶法 * * *:
首先将溶液蒸发至亚稳定区后,然后进行冷却,进入不稳定区,形成一定量的晶核,此时溶液的浓度会有所降低,进入并稳定在亚稳定的养晶区使晶体生长。; *** 4. 结晶控制 若结晶条件不同,则形成晶体的大小、形状、甚至颜色等都可能不同。;控制不同的结晶温度,有时可得不同颜色(如黄色或红色的碘化汞晶体)。
溶液中含有少量杂质和人为添加物,也会导致晶体的明显改变。
;10.5 晶体过程设计基础;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*** [例] 传统的四环素结晶精制过程是采用混合氯化溶剂,但是由于此混合溶剂中可能含致癌物质,所以计划开发一种混合醇溶剂取代之。在实验过程中,混合醇溶液中四环素(tetracycline)饱和溶液的起始温度:T0 = 20(℃);在20(℃)附近,四环素的溶解度随温度的变化率为:dCS /dT = 1.14×10-3(g/ml·℃);四环素的结晶可近似认为是正立方体;使用的晶种长度为 LS = 1*10-4(m);晶种密度ρc= 1060 (kg/m3);晶种的添加量 MS/V=0.035 〔kg/m3〕。; 希望收获结晶粒度LP = 8.8×10-4〔m〕。在结晶过程中控制过饱和浓度差为77〔 kg / m3 〕。
设:晶体的生长过程为扩散控制,传质系数为6.5×10-7〔m / s〕。假定结晶过程溶液不蒸发,为了实现上述结晶过程,
;试计算:
(1)结晶线性生长速率。
(2)结晶操作时间。
(3)四环素结晶时的冷却温度随时间变
化的关系式,即确定冷却温度操作
线方程。
(4)绘制冷却温度随时间变化曲线,
T = f(h),要求至少有五个点。
(5)结晶结束时溶液的温度。;解:(1)结晶线性生长速率的计算;又∵ C-CS = 77 [ kg/m3]
ρC = 1060 [ g/cm3 ]
∴ 晶体生长速率
G = 2× ( 1 / 1060 ) ×6.5×10-7×77
= 9.44×10-8 〔m / s〕
;(2)结晶操作时间的计算;(3)冷却结晶温度操作线方程的计算;T= 293.2 - 8.694×10-5t ( 1 + 9.44×
10-4t + 2.790×10-7 t2 )
式中温度T〔K〕,时间 t 〔s〕
或 T = 20 - 0.313t ( 1 + 3.4 t + 3.85 t2 )
式中温度T〔℃〕,时间 t 〔h〕;(4)绘制冷却温度随时间变化的曲线T = f(t),;(5)结晶结束时溶液的温度 T结束;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;本章结束;;*;*;*;*;*;*;重结晶与溶解度之间的关系;*
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