第5章_常用传感器 测试技术教学课件.ppt

压力传感器 转矩传感器 二、压电式力传感器 1. 变换原理 某些物质，如石英，当受到外力作用时，不仅几何尺寸会发生变化，而且内部被极化，表面会产生电荷；当外力去掉时，又重新回到原来的状态，这种现象称为压电效应。 常用的压电材料大致可分为三类：压电单晶、压电陶瓷和有机压电薄膜。 压电效应 式中：Q—电荷[量]； D—压电常数，与材质及切片方向有关； F—作用力。 Q=DF 并接时，两晶片负极集中在中间极板上，正电极在两侧的电极上。并接时电容量大、输出电荷量大、时间常数大，宜于测量缓变信号，适宜于以电荷量输出的场合。一般后接电荷放大器。 串接时，正电荷集中在上极板，负电荷集中在下极板。串接法传感器本身电容小、输出电压大，适用于以电压作为输出信号。一般后接电压放大器。 三、压磁式传感器 压磁式传感器是一种力-电转换传感器。其基本原理是利用某些铁磁材料的压磁效应。 工作原理：利用某些铁磁材料的压磁效应。 铁磁材料在晶格形成过程中形成了磁畴，各个磁畴的磁化强度矢量是随机的。在没有外磁场作用时，各个磁畴互相均衡，材料总的磁场强度为零。当有外磁场作用时，磁畴的磁化强度矢量向外磁场方向转动，材料呈现磁化。当外磁场很强时，各个磁畴的磁场强度矢量都转向与外磁场平行，这时材料呈现磁饱和现象。 在磁化过程中，各磁畴间的界限发生移动，因而产生机械变形，这种现象称为磁致伸缩效应。 铁磁材料在外力作用下，内部发生变形，使各磁畴之间的界限发生移动，使磁畴磁化强度矢量转动，从而也使材料的磁化强度发生相应的变化。这种应力使铁磁材料的磁性质发生变化的现象称为压磁效应。 三、压磁式传感器 ·材料受到压力时，在作用力方向磁导率减小，而在作用力垂直方向磁导率略有增大；作用力是拉力时，其效果相反。 ·作用力取消后，磁导率复原。 ·铁磁材料的压磁效应还与外磁场有关。为了使磁感应强度与应力之间有单值的函数关系，必须使外磁场强度的数值一定。 铁磁材料的相对导磁率变化与应力σ之间的关系为： σ ——作用于铁磁材料上的外力所形成的应力； εs ——材料的饱和伸缩比，εs=Δl/l ； μ——铁磁材料的磁导率； BS——饱和磁感应强度； μ ——材料的磁导率； Δμ ——材料的磁导率的相对变化量。 用于磁弹性式传感器的铁磁材料要求能承受大的应力、磁导率高、饱和磁感应强度小。常用的材料是硅钢片与铁镍软磁合金，由于后者价贵且性能不够稳定，目前大都采用硅钢片。 优点：输出功率大、信号强、结构简单、牢固可靠、抗干扰性好、过载能力强、价格便宜。 缺点：测量精度不很高、频响较低。 应用：常用于冶金、矿山、运输等工业部门作为测力和称重传感器。 常用的压磁传感器为阻流圈式、变压器式、桥式。 压磁式测力传感器的压磁元件由具有正磁致伸缩特性的硅钢片粘叠而成。硅钢片上冲有四个对称的孔，孔1、2的连线与孔3、4相互垂〔图(a)〕。孔1、2间绕有激磁绕组W12，孔3、4间绕有测量绕组W34，外力F与绕组W12、W34所在平面成45°角。当激磁绕组W12通过一定的交变电流时，铁心中就产生磁场H，方向如图(b)所示。设将孔间区域分成A、B、C、D四部分。在无外力作用时，A、B、C、D四部分的磁导率相同，磁力线呈轴对称分布，合成磁场强度H平行于测量绕组W34的平面。在磁场作用下，导磁体沿H方向磁化，磁通密度B与H取向相同。由于测量绕组无磁通通过，故不产生感应电势。 若对压磁元件施加压力F，如图(c)所示，A、B区域将产生很大的压应力σ，而C、D区域基本上仍处于自由状态。对于正磁致伸缩材料，压应力σ使其磁化方向转向垂直于压力的方向。因此，A、B区的磁导率μ下降，磁阻增大，而与应力垂直方向的μ上升，磁阻减小。磁通密度B偏向水平方向，与测量绕组W34交链，W34中将产生感应电势e。F值越大，W34交链的磁通越多，e值就越大。经变换处理后，即能用电流或电压来表示被测力F的大小。 第五节 光信号传感器 一、光致电压传感器 光生伏特效应指半导体材料P-N结受到光照后产生一定方向的电动势的效应。以可见光作光源的光电池是常用的光生伏特型器件。按半导体材料的不同，有多种类型，如硅光电池、硒光电池、砷化镓光电池等，其中作为能量转换使用最广的是硅光电池。 + + + - - - P N 光电池 二、光敏二极管 光电导效应是指半导体材料受到光照时会产生电子-空穴对,使其导电性能增强,光线愈强,阻值愈低,这种光照后电阻率发生变化的现象,称为光电导效应。 悬臂梁应变ε为 XL110X系列内装IC应变式加速度传