深圳深爱半导体有限公司-李国延双极功率管O-SIPOS氧化法-csiadd.PPTVIP

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2018-02-09 发布于天津
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深圳深爱半导体有限公司-李国延双极功率管O-SIPOS氧化法-csiadd

双极功率管O-SIPOS氧化法表面钝化报告人：李国延单位：深圳深爱半导体有限公司 O-SIPOS组成及特性 SIPOS是半绝缘多晶硅（semi -insulating poly silicon）的缩写，是一种准新型芯片表面钝化膜，最早是在1976年由日本的Mastsushita等人正式提出，目前国内在双极功率管上使用掺氧的 SIPOS——O-SIPOS最早、使用面积最大的应该就是我们公司 O-SIPOS成分组成关于O-SIPOS薄膜含氧量的一般提法为 15%-35%，并且可以使用BHF进行刻蚀早期的成分测试和刻蚀状况目前的测试成分与讨论特有的钝化PN结击穿特性击穿电流仿真正常击穿三角击穿目前使用中的一些问题常规使用中表面钝化示意图新的SIPOS氧化实验思路氧化前氧化后测试结果 QT2测试图形多条件对比再试 980℃ 30分钟湿氧氧化，氧化层和未氧化的SIPOS的厚度比大约是3：1 920℃30分钟湿氧，氧化层和SIPOS的比大约是2：1 920℃30分钟湿氧，氧化层和SIPOS的厚度比则大约是1：1 进一步确认 800℃40分钟湿氧降低温度同时增加氧化时间，BVcbo常高温击穿特性没有任何问题，但仍然存在一定程度的BVceo的负阻现象 820℃25分钟湿氧温度不变，减少氧化时间到25分钟， BVcbo高温击穿的耐压特性进一步提高， BVceo的负阻现象几乎没有，并做全流程跟踪和例行可靠性试验，一切正常讨论 O-SIPOS的湿氧氧化速度的规律，即为同样条件下单晶硅的4~6倍氧化层和剩余的O-SIPOS厚度之比的最佳值为1：1左右此工艺用在高压功率管上时的最佳氧化温度在820℃附近谢谢大家！ * * *