第四章 超声波探伤PPT.ppt

2）基本扫查： i)转角扫查：是探头作定点转动，用于确定缺陷方向并可区分点、条状缺陷。 ii)环绕扫查：是以缺陷为中心，变换探头位置，用于估判缺陷形状，尤其是对点状缺陷的判断。 iii)左右扫查：是平行于焊缝或缺陷方向作左右，用于估判缺陷形状，特别是区分点、线状缺陷，在定量法中用来测量缺陷指示长度。 iV)前后扫查：是探头垂直于焊缝前后移动，用于估判缺陷形状及高度。 斜探头基本扫查 I一转角扫查 II一环绕扫查 III一左右扫查 IV一前后扫查 3）平行扫查 是在焊缝边缘或焊缝余高己磨平的焊缝上作平行于焊缝轴线的移动扫查，如P92图4—35“平行扫查”所示。它可以探伤焊缝及热影响区的垂直于焊缝轴线的横向缺陷（如横向裂纹）。 4) 斜平行扫查 是探头与焊缝方向成10度-45度的平行扫查如P93图4—36“斜平行扫查和扫查夹具”所示。它可以探测焊缝及热影响区的横向裂纹和与焊缝方向成倾斜角度的缺陷。 （3） 3D 显示 ★B型显示和C型显示的不足之处是对于缺陷的深度和空间分布不能一次记录成像， 3D技术能把B显示和C显示相结合产成一个准三维的投影图像，同时能显示出缺陷在空间的特征。 3. 直接接触法 ★ 它是使探头直接接触工件进行探伤的一种方法。应用直接接触法应在探头和被检工件涂一层耦合剂，做为传声介质。 ★ 直接接触法探伤又分有： ①垂直法探伤和②斜射法探伤两种基本方法。 ☆ 直接接触法主要采用A型（显示）脉冲反射法工作原理。由于见操作方便、探伤图形简单、判断容易且灵敏度高，因此在实际生产中得到最广泛应用。 ① 垂直入射法（简称为垂直法） ★ 是采用直探头将纵波垂直入射工件检测面进行检测，故又称为纵波法，如P87图4—27“垂直法探伤”所示。 ★垂直法检测能发现与检测面平行或近似平行的缺陷，适用于厚材科（如钢板）、轴类、轮类几何形状较简单的工件。 ② 斜角入射法（简称为斜射法） ★是采用斜探头将折射横波倾斜入射工件检测面进行探伤，故而又称为横波法 ★斜角入射法能发现与探伤表面成角度的缺陷，常用于焊缝、环形锻件、管材的探伤。 4—3 超声波探伤设备 1. 探头 （1）直探头 声束垂直于被检工件表面入射的探头称为直探头，可发射与接收纵波 。 图4—1直探头内部结构及工作原理 1一保护膜 2一压电晶片 3一吸收块 4一匹配电感 （2）斜探头 ●利用透声斜楔块使声束倾斜于被探伤工件表面入射的探头称为斜探头。 ●通常横波斜探头以折射角正切值标称：K=tgγS 有1.0、1.5、2.0、2.5、3.0。 ●有时也以折射角标称： γS =40度、45度、50度、、60度、70度。 （3）水浸聚焦探头 ★其结构见P79图4—15“”水浸聚焦探头结构。声透镜由环氧树脂浇铸成球形或圆柱形凹透镜，根据声学折射定律可使声束聚成一点或一条线，前者为点聚焦探头，后者为线聚焦探头。 （4）双晶探头 ●又称为分割式TR探头。 ●它内含二个晶片，分别为发射、接收晶片，中间用隔声层隔开。 ●主要用于近表面检测和测厚。 （5）探头型号 由五部分组成，用一组数字和字母表示，其排列顺序如下： 1）基本频率 MH z； 2）晶片材料 常用晶片材料及其代号见表7-19； 3）晶片尺寸 mm。圆形晶片：直径；方形晶片 ：长x宽； 4）探头种类 用汉浯拼音缩写字表示，见表7-19。 5）探头特征 斜探头为K值或γ；分割探头为被探工件中声束交区深度（mm）；水浸探头为水中焦距（mm）；点聚焦探头为DJ；线聚焦探头为XJ。 压电材料代号:锆钛酸铅陶瓷: P钛酸钡陶瓷: B钛酸铅陶瓷: T铌酸锂单晶: L碘酸锂单晶: I石英单晶: Q其它材料: N 探头种类代号:直探头: Z斜探头（用K值表示）: K斜探头（用γ表示）: X分割探头: FG水浸探头: SJ表面波探头: BM可变角探头: KB ◆探头型号举例1： ◆ 探头型号举例2： ◆ 探头型号举例3： ◆ 探头型号举例4 2. 试块 1）标准试块 由某国权威机构讨论通过的，称为该国的标准试块。 我国GB11345一89规定：CSK一IB试块为