第四章-光学干涉测量技术(武大).ppt

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第四章-光学干涉测量技术(武大)

* 武汉大学 电子信息学院 传统的干涉测量方法通过对干涉仪所获取的干涉条纹得到波面波差空间分布的相关信息。受各种因素,特别是干涉条纹判读方法误差较大的限制,传统的干涉测量方法只能做到 λ/10 ~ λ/20(PV)的测量精度。为提高干涉测量精度,可以从多幅相位变化的干涉图中解算波面各点的相位分布,其测量不确定度可达 λ/50。 * 武汉大学 电子信息学院 一、移相干涉测量的基本技术 (一)移相干涉测量原理 在干涉仪的参考光路中引入一个随时间变化的位相调制,从干涉场内各点交变的位相差信号中提取出多幅不同的移相干涉图图形,采用相减或相除等信号处理方式,能有效去除干涉测量系统中的一些误差,包括固定的系统误差、缓变的气流引起的光程差、振动和温度场等随机误差对测量的影响。 在参考镜上连接一压电晶体(PZT),通过驱动电路带动参考镜产生几分之一波长量级的光程变化,使干涉场产生变化的干涉条纹。这时的光强分布可表示为: 式中Id(x,y)是干涉场的直流光强分布,Ia(x,y)是干涉场的交流光强分布;?(x,y)是被测波面与参考波面的位相差,δ(t)是两支光路随时间变化的位相差。 * 武汉大学 电子信息学院 采集多幅位相差变化的干涉图的光强分布,用适当的数值算法解算出?(x,y)。对于给定的某点(x,y),由于Id(x,y)、Ia(x,y)和?(x,y)均为未知,因此至少需要三幅干涉图才能解算出?(x,y)。 假设δi=δ(ti),i=1,2…N(N≥3),则 I(x,y,δi)=Ii(x,y)=Id(x,y)+Ia(x,y)cos[?(x,y)+δi] =a0(x,y)+a1(x,y)cosδi+a2(x,y)sinδi 式中:a0(x,y)=Id(x,y) a1(x,y)=Ia(x,y)cos[?(x,y)] a2(x,y)=-Ia(x,y)sin[?(x,y)] 按最小二乘原理,有: * 武汉大学 电子信息学院 得: 其中各符号的含义见公式4-27a,4-27b。(p97) 最后被测波面与参考波面的位相差?(x,y)可通过a2(x,y)与a1(x,y)的比值求得。 特殊的,取四步移相,即N=4,δ1=0,δ2=π/2,δ3=π,δ4=3π/2有: 由于位相的计算公式中含有减法和除法,因此可有效去除固定噪声、探测器本身的不均匀和部分随机噪声。 * 武汉大学 电子信息学院 (二)常见的移相方法 1、压电晶体移相 压电晶体置于外电场中,受电场的作用,晶体内部正负电荷中心产生相对位移,导致介质的伸长变形。常用的压电材料是压电陶瓷。这种介质在人工极化前是各向同性的,在人工极化后具有压电性。改进型的锆钛酸材料制成的压电陶瓷片(PZT),其伸长变形方向与电场方向平行,其微位移的线性性好,转换效率高,性能稳定。伸长量与电场之间的关系满足: Δh=DV 式中Δh为伸长量,以微米为单位,D为压电陶瓷的压电系数(μm/V),V为施加在压电陶瓷片上的电压。事实上,施加的电压与陶瓷的伸缩量并不严格保持线性关系,并且伸缩的变化还具有一定的时间上的滞后。 * 武汉大学 电子信息学院 对PZT所具有的非线性必须进行校正。校正的过程中需要给PZT施加一个非线性电压: Vi=(A+Bi+Ci2)β i=1,2,…N 式中A为偏置电压,B为线控系数,C为二次项系数,β为放大系数,i为步进数。先给PZT一个初始电压,测出其位移变化,再与预置的相位变化比较,以决定修正系数B、C,逐次逼近,直到满足非线性为止。 * 武汉大学 电子信息学院 2、偏振移相 偏振移相法的基本思想是将一个被检的二维相位分布?(x,y)转化为一个二维的线偏振编码场。即将二维相位分布?(x,y)转换成各相应点的偏振角分布,使偏振角的值正比于该点的初始相位,且保持各点振幅分布均匀。为此使用一检偏器,若检偏器角度为θ,与线偏光方向的夹角为[?(x,y)/2-θ],根据马吕斯定律,可检测到的光强为: 从光强分布可见这是一组余弦干涉条纹,条纹的分布不仅与被检光场的位相分布有关,还受检偏角调制。只要改变检偏角θ,即可产生干涉条纹的移动。故称之为偏振条纹扫描干涉。 偏振移相法的优点是:(1)检偏器的转角可精确控制,移相精度高;(2)适用于干涉系统中光程难以改变的场合。但是,需要制作大口径、高质量的偏

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