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硅NPN平面三极管工艺参数设计及管芯制作 四川 成都 四川大学 物理学院 微电子学 刘威 摘要：本文简述了三极管各项参数的设计过程，详细描述了npn三极管的制作过程和各工艺步骤，并对三极管阶段性参数（如：方快电阻）和最终参数（如：放大倍数、结的I-V特性）的测量。在实验中，对每一组样品都采用陪片，用四探针的方法进行各种条件下的方块电阻的测量，用I-V测试仪对各结的I-V特性进行测量。本文还详细分析了实验数据，氧化、硼扩散、磷扩散和光刻等工艺对实验的影响，三极管BE、BC结的击穿特性。 关键字：制作工艺，四探针，方快电阻，击穿特性 引言 从20世纪40年代晶体管发明开始，半导体器件工艺技术的发展经历了三个主要阶段：1950第一次生产出了实用化的合金结三极管；1955年扩散技术的采用是半导体器件制造技术的重大发展，为制造高频器件开辟了新途径；1960年由扩散、氧化、光刻组成的平面工艺的出现是半导体器件制造技术的重大变革，大幅度地提高了器件的频率、功率特性，极大地改善了器件的稳定性和可靠性。目前世界市场上85%以上的集成电路产品是硅集成电路，其生产技术都是平面工艺。平面工艺开创了硅器件的新纪元。随着各种新材料、新技术、新器件结构的引入，以及设计方法的改进，芯片集成度不断增加，性能日益提高。因此，作为最基础的集成电路元件——平面晶体管，对其结构、功能、工艺参数的了解是非常必要的。 晶体管结构设计 在制备的过程中采用平面工艺，要达到的参数要求是：放大倍数 =60 ，bc结击穿电压为80V。样品的纵向和横向结构图如下: 图1：制作三极管的纵向和俯视图 器件制备工艺流程： 工艺参数设计 晶体管已知参数：衬底电阻率=5 ，=60 ，BC结击穿电压为80V。由图一可以得到Cb=。 3.1、设=，=，=1.2 用浅发射结近似，为了方便计算我们假设B，E区都为均匀掺杂，则如图3掺杂与禁带变宽的关系图，我们可以得到0.19 图3： 掺杂与禁带变宽的关系图 如图4，我们可以得到760/150=5.1 图4： 少数载流子的迁移率与掺杂浓度的关系 由前面假设知道=53，代入到方程中得=1.00。 晶体管制作流程设计 衬底氧化 采用干氧——湿氧——干氧的步骤进行氧化 温度T=1100 ℃ 干氧20min，由《半导体手册》图OX-1查得生成0.06氧化层。 湿氧25min，确定干氧1100℃生成0.06氧化层所需时间t=1.1min后就可以确定湿氧总时间为25min+1.1min，由图OX-2查得tox=0.3。 干氧15min：确定1100℃干氧生长0.3厚度氧化层需600min，615min所对应的几乎没有变化。 所以最终生成3000埃氧化层 基区扩散 下图5为常见杂质在硅中的扩散率，图6为常见杂质在硅中的固溶度，将在下面的计算中用到。 图5： 常见杂质在硅中的扩散率 图6： 常见杂质在硅中的固溶度 硼预沉积 设温度T=1000℃ 查表得Cs=，=0.085 解得t=0.2h。 硼推进扩散（在氧气气氛中） T=1100℃ =2.2cm =0.27 近似认为为 求得t=45min 在此过程中同时产生了氧化层。 c) 发射区磷扩散 T=950℃ 只采用一步预沉积扩散 =0.2 = 求得t=13min。 实验方法 实验室提供了9块硅片，其中5块正片，4块陪片。实验分为两组：其中一组使用实验室所提供是实验参数和条件，采用2块正片2块陪片；另一组使用我们自己设计的实验参数和实验条件进行实验，采用3块正片2块陪片。实验完毕可以对两组实验的结果进行对比。 4.1、清洗 在制备样片和其中使用的陪片都要经过一系列的清洗过程，防止不必要的杂质进入硅片中影响结果。对硅片的清洗主要是去除表面的离子，包括酸，碱及氧化物，使用的清洗液都有一定的配比，清洗也必须遵守一定的流程。清洗硅片过程中使用的药品名称及作用见表1。 名称 浓度配比 作用 浓硫酸 95%~98% 去除有机物和金属离子 I号液 H2O：H2O2：NH4OH=3：2：1 去除颗粒、金属、有机物 II号液 H2O：H2O2：HCL =3：2：1 去除金属离子 去离子水 清洗 表1：硅片清洗主要药品名称及作用 实验中的清洗过程见表2： 步骤 药品 操作 1 浓硫酸 煮至冒白烟后3-5分钟 2 热、冷去离子水 清洗 3 浓硫酸 煮至冒白烟后3-5分钟 4 热、冷去离子水 清洗 5 I号液 煮沸后3-4分钟 6 热、冷去离子水 清洗 7 II号液 煮沸后3-4分钟 8 热、冷去离子水 清洗至水的电阻率大于5兆欧 表2：硅片清洗流程 4.2、一次氧化 对清洗后的硅片进