连续100 W量子阱二极管激光器封装工艺.pdfVIP

第22卷第11期 强 激 光 与 粒 子 束 V01．22，No．11 2010年11月 HIGHPOWERLASERANDPARTICI。EBEAMS Nov．，2010 文章编号：1001—4322(2010)11．2510—03 00 连续1 W量子阱二极管激光器封装工艺。 高松信， 雷 军， 郭林辉， 吕文强， 武德勇， 唐 淳 (中国工程物理研究院应用电子学研究所，四川绵阳621900) 摘要： 为了提高激光器输出功率。对研制的铜微通道冷却器性能进行了测试，分析了其散热能力。设 计了一种在软焊料中掺杂金属添加剂的工艺，有效抑制了晶须生长，并利用该冷却器和新工艺封装出了连续 100 W大功率二极管激光器，并对封装的器件进行了性能测试。测试结果表明．封装的连续100W器件在工 作电流105A时，输出功率超过了100W，中心波长为808．5am，光谱半高宽为2．15nm，器件的smile尺寸小 于2弘m，部分值小于0．5弘m。 关键词：二极管激光器；封装；smile效应；微通道冷却器；焊料 中图分类号：TN248．4 文献标志码： A doi：10．3788／HPLP2510 二极管激光器(DI。)具有体积小、结构紧凑、寿命长和电光效率高等特点，mW量级的小功率器件已在通信 W的大功率DL芯片， 领域广泛应用[1]。同时，随着制造工艺水平的提高，实验室已研制出单条连续输出950 而商品化大功率二极管激光器单条连续输出功率已达120W，准连续300W。高功率DL单元器件输出功率 的提高使得单位面积上的热功率也有很大提高，芯片的腔长也由原来的1mm左右增加到1．5～2．0mm，这给 封装工艺带来了很大的难度。高功率DL在单位面积上热功率密度增加，封装工艺已成为其发展的瓶颈，而 果，选择铜微通道冷却器作为散热器，直接将二极管激光器芯片烧结在冷却器上。本文利用自行设计制作的低 热阻多层结构的模块式铜微通道冷却器，进行了连续100W二极管激光器的封装。 l微通道冷却器特性 及时散热是大功率DL激光器整个封装工艺的关键环节，开发高效散热的冷却器是研制高功率DL的基 础心]。基于铜材料的微通道冷却器是一种散热效率较高的冷却器嘲，而对于不同的内部结构，其散热效率有较 大的差别，这主要取决于散热面积和冷却水流量。冷却器的散热能力主要通过热阻来反映，其表达式为 A’ ^、 Rth=AT／P一(等)叫(百．t3A) (1) 凸J f P(D=U(Df—P。(D (2) 式中：△T为二极管结温和冷却水之间的温度差；P为DL工作时产生的废热；猷为相同环境温度下，DL工作 在低占空比(热效应可以忽略)下的中心波长与实际工作时中心波长的差；【，(I)为工作电压；J为工作电流；P。 (J)为电流为I时的输出光功率。 高功率DL的中心波长具有随结温改变而改变的特性，冷却器的热阻可以根据DL的温度漂移来推算。 测试二极管激光器随温度的漂移时，DL工作电流定为100A，占空比为1％(100Hz，100肛s)，然后改变冷却 水温度，测量不同水温条件下DL的中心波长。根据测试结果，拟合出中心波长随温度的变化率曲线，再根据 变化率曲线可以确定A,l／AT=0．222nm／℃。然后。利用功率计和万用表测试DL工作在额定电流下的输出 光功率和工作电压，根据式(2)得出DL在额定工作电流下的热功率。最后，根据式(1)得出研制的微通道冷却 器实际的热阻为0．378℃／w。 2封装工艺优化 选择稳定性好的金锡合金焊料，必须在冷却器和热沉间增加散热较差、热匹配性好的其它材料作为过渡层，如 -收稿日期：2009—09—01；