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第33 卷第1 期 硅 酸 盐 学 报 VoI. 33 ，No. 1
2 0 0 5 年1 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY January ，2005
逆反应烧结制备碳化硅/ 氮化硅复合材料的工艺
吴宏鹏，洪彦若，孙家林
（北京科技大学无机非金属材料系，北京 100083 ）
摘 要：制备Si N / SiC 复合材料的常规反应烧结是以Si 和SiC 为原料进行氮化烧结，而逆反应烧结是以Si N 和SiC 为原料，首先使 Si N
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反向反应为活性氧化物后再进行烧结。建立逆反应烧结工艺制备Si N / SiC 复合材料的热力学基础。确定了Si N 先于SiC 氧化；氧化产物
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可以是SiO ，也可以是Si N O ；形成的SiO 氧化膜不会与基体材料反应；在膜与基体之间可能生成Si N O 。论证了逆反应烧结的热力学可行
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性。通过6 个烧结实验，证实了其热力学分析的正确性，并从工艺参数与密度变化、残氮率和比强度等关系筛选出最佳的烧结工艺参数。
关键词：氮化硅/ 碳化硅复合材料；逆反应烧结；热力学；工艺基础
中图分类号：
TB321/ To175 文献标识码：A 文章编号：0454 5648（2005 ）0 1 000 1 06
TECHNIOUES OF REVERSE REACTION SINTERED Si N / SiC COMPOSITES
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WU Hongp eng ，HONG Yanruo ，SUN Jialin
（Department of Inorganic Non-MetaIIic MateriaIs ，University of Science TechnoIogy Beijing ，Beijing 100083 ，China ）
Abstract：ConventionaI production of Si N / SiC composites using Si and SiC as raw materiaIs sintered under nitrogen atmospheres. The
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reverse reaction sintering process convert Si3 N4 into reactive oxides for sintering. E
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