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第42卷第6期 微电子学 Vol。42．No。6
2012年12月 Microelectronics Dec．2012
浅结激光退火的实验研究及工艺模型
李岱，严利人，张伟，周 卫，刘志弘
(清华大学微电子学研究所，北京100084；清华大学信息科学与技术国家重点实验室(筹)，北京100084)
Bill及以下
摘要： 随着器件尺寸缩小，浅结、超浅结的制作日益成为重要的工艺模块。对于22
技术代来说，除了采用低能离子注入获得极浅的原始注入分布外，通常还采用短时或者瞬时激光退
火来激活注入杂质，以保持原始的注入杂质不发生明显的扩散再分布。详细介绍了一台激光退火
设备的搭建情况，利用所搭建的激光退火装置进行浅结、超浅结的激光退火实验研究。另一方面，
鉴于当前激光退火工艺模型的欠缺，在实验数据的基础上，初步分析和建立了专门针对浅结激光退
火处理的工艺模型。
关键词： 激光退火；工艺模型；浅结
中图分类号：TN305．99 文献标识码：A
onLaserAnnealofShallow
ExperimentalStudy Junctions
andItsProcessModel
LIDai，YANLiren，ZHANGWei，ZHOUWei，LIU
Zhihong
(Institute National
ofMicroelectronic5，TsinghuaUniversity，Beijing100084P·R．China；TsinghuaLaboratory
and 100084，P．R．China)
，0rInformationScienceTechnology，Beijing
evolvesinto22Dinnodeand ofshallow ultra-shallow
Abstract·”vAsIC and／or
technology beyond，formation
a more module．Theareformedlow
moreand by energy
junctions诗、舂白测ng importantprocess junctions
tO withlessre-
is laserannealtreatmentactivate
normally implantedimpurity
implantationrYwhiehfollowed．by
annealofshallowandultracshallow
distribution．．AlaserannealmachinewasconstructedtO 1aser
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