用于微放电器的聚酰亚胺绝缘层的工艺和性能研究.pdfVIP

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2018-04-07 发布于北京
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用于微放电器的聚酰亚胺绝缘层的工艺和性能研究.pdf

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真空科学与技术学报第31卷第1期 114 AND CHINESEJOURNALOFVACUUMSCIENCETECHNOIDGY 2011年1、2月用于微放电器的聚酰亚胺绝缘层的工艺和性能研究张秋萍文莉’ 向伟玮曾洪江何利文褚家如 (中国科学技术大学精密机械与精密仪器系合肥230026) FabricationandPerformanceof Insulating of Micro—PlasmaReactors PolyimideLayers 撕Qiuping，WenLi。，XiangWeiwei，zellgHongjiang，HeLiwen，ChuJiaru Prec／swn and SoL-neeand (Oemtm删ofMach／o日yPrec／stbn／nstrumentatfim，v,a肌ayTechno／ogyCh／na，艘觑230026，Ch／na) of of AbstractAnovel was tofabricatethe fdmfor re— techniquedeveloped insultingpolyimide(PI)thinmicro-plasma actor．The ofthePIimidizationandtheion thereactiveion flow impacts etchingconditions，includingetchingrate，gas the rate，film and residueswereevaluated．A rate，gascompositions，and etching queryetching cleaningprocedures，on Was of PI dedicated tomeasurethedielectriccoefficientandbreakdown the films．Theresults circuitrydeveloped intensity showthattheimidizationmodeandion conditionsaffectsthefilm andthe rate．Forin- etching strongly quality etching rateand PIfilmscouldbeobtainedwiththePIrawfilmsimidized andetched stance，hi【曲etchinggood bysteppedheating underthe reactive of60 flowrateof60 conditions：a W，an cm3／min(standarda following etchingpower oxygen