无掩膜激光辅助刻蚀GaAs图形中的衍射条纹分布.pdfVIP

兴电字·豫光 第19卷第6期2008年6月 of V01．19No．6Jun．2008 JournalOptoelectronics·Laser ·材料· 无掩膜激光辅助刻蚀GaAs图形中的衍射条纹分布* 刘 旭一，吴云峰，叶玉堂，刘 霖，陈镇龙，田 骁，罗 颖，王昱琳 (电子科技大学光电信息学院，四川成都610054) 摘要：以菲涅耳直边衍射理论为基础。通过大量实验；对影响激光辅助化学刻蚀图形效果最为明显的直边、宽缝 和交叉i种衍射行为进行研究；获得了光强分布与衍射腐蚀条纹分布的主要特性。实验表明，直边衍射的衍射 腐蚀深度最大值位于直接照明区，微微偏离阴影边区域；缝宽对宽缝衍射的腐蚀条纹特性有较大影响；交叉衍 射时，受(hAS晶体取向影响，其刻蚀条纹分布不完全对称。 关键词：激光辅助腐蚀；宽缝衍射；光强分布；半导体 中图分类号：TN305．7文献标识码：A 文章编号：1005-0086(2008)06-0773—03 Diffractivecharacteristicsoflaserassistedchemical GaAs etching LIU Xiao，LUO Xu一，WUYun-feng，YEYu-tang，LIULin，CHENZhen-long，TIANYing， Ⅵ，ANGYu-lin of ofElectronicScienceand of (School Chim，Chengdu610054， Opto-electronicInfotrmtion，University Technology C}1iha) main of chemical GaAs ontheFresnaldif— Ah哪：Thediffractivecharacteristicslaserassisted etchingisanaly砒Based and formulaofdirect diffractionaswellastheexten— fractivetheory distributing experimentation．thelightintensity seeding and studiedis thediffractive resultshows sirediffractionthecrosstypediffractionBl-estudied．also stripedistributing．T}1e thatinthesedinect maximum isoffsetthe theextensive seedingdiffraction，theetcheddepth boundary．In diffraction，the etched are influencedthewidthandthe ofthe intheC／X)s$diffraction。theare stripes by intensitylaser．Also stripes