银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键工序研究.pdfVIP

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2018-04-07 发布于北京
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银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键工序研究.pdf

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化学工程师 Chemical 2013年第4期 Engineer 文章编号：1002—1124(2013)04-0005-03 ；科{ ；磷! ；蔫! 银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线 i开i ；发；的关键工序研究王圣坤，苑伟政，何洋 (西北工业大学空天微纳系统教育部重点实验室。陕西西安710072) 摘要：本文通过实验发现，硅片表面的洁净度和合适的刻蚀液浓度是成功应用银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键。总结出针对该法的一种性能可靠的简单清洗工艺。通过配制不同浓度的刻蚀液发现AgNO，的浓度在0．008--0．016mol·L-·范围内，HF浓度从4．0～5．5mol·L-I范围内可以成功制作出硅纳米线。关键词：银辅助化学刻蚀法；化学刻蚀法；硅纳米线中图分类号：TN304．1 文献标识码：A of siliconnanowiressilverassistedelectrochemicalmethod Keyprocessmal【ing by WANG Sheng-kun，YUANWei-zheng，HEYang ofMicro／Nanofor of Education，NPU，Xian710072，China) (KeyLaboratory SystemAerospace，Ministry Abstract：The resultofthis showedthat surfaceofsiliconwaferand experiment paper havingultra—pure concentrationofcorrosivewerethe of siliconnanowires．Weoffereda proper liquid keyprocessmaking simple concentrationofsilvernitratewasbetween0．008～0．016mol·L一1whilethe highperformancecleaningprocess．The concentrationof acidwas for siliconnanowires． between4．0～5．5mol·L-1wassuitable hydrofluoric making words：silverassistedelectrochemical Key method；electrochemicalmethod；siliconnanowires；SiNWs 硅纳米线(siliconnanowires，SiNws)除具有硅半备方法之一。导体本身的性质，还因其特征尺度是纳米级的而显示统观化学刻蚀法制作SiNWs的相关研究工作，出明显的量子限制效应、量子隧穿效应、库仑阻塞效虽有许多有关其工艺参数的研究，但结论不统一，应，显现出场发射、热导率、荧光和紫外线光致发光等