《微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定》（送审稿）.docVIP

前 言 本标准是对GB/T17473-1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法》（所有部分）的整合修订，分为7个部分： —— 第1部分：固体含量测定； —— 第2部分：细度测定； —— 第3部分：方阻测定； —— 第4部分：附着力测试； —— 第5部分：粘度测定； —— 第6部分：分辨率测定； —— 第7部分：可焊性、耐焊性测定。 本部分为第3部分。 本部分代替GB/T17473.3-1998《厚膜微电子技术用贵金属浆料测试方法 方阻测定》。 本部分与GB/T17473.3-1998相比，主要有如下变动： ——将原标准名称修改为微电子技术用贵金属浆料测试方法　方阻测定； ——将原标准规定的范围修改为：本标准规定了微电子技术用贵金属浆料方阻的测试方法。本标准适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。非贵金属电子浆料可参照本标准执行； ——在原标准的原理中，将浆料用丝网印刷在陶瓷基片，经过烧结后，膜层在一定温度及其厚度、宽度不变的情况下……，修改为将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或固化后，膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下； ——增加有机树脂基片。 本部分的附录A为规范性附录。 本部分由中国有色金属工业协会提出 本部分由全国有色金属标准化技术委员会归口。 本部分由贵研铂业股份有限公司负责起草。 本部分主要起草人：金勿毁、刘继松、李文琳、陈伏生。 本部分由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/T17473.3-1998 微电子技术用贵金属电子浆料测试方法　 方阻测定 范围 本标准规定了微电子技术用贵金属浆料方阻的测试方法。 本标准适用于微电子技术用贵金属浆料方阻的测定。 非贵金属电子浆料可参照本标准执行。 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T8170 数值修约规则 方法原理 将浆料用丝网印刷在陶瓷基片或有机树脂基片上，经过烧结或固化后，膜层在一定温度及厚度、宽度不变的情况下，膜层电阻与膜层带的长度成正比。通过测量规定膜层长度下的电阻，计算方阻。 材料 基片：纯度不小于95％的氧化铝或有机树脂基片，表面粗糙度为0.5～1.5μmμΩ~100MΩ,分辨率为6位有效数字，可四线量测。 超高阻绝缘电阻测量仪：范围为1×105Ω~1×1017Ω,精度为±2%。 测厚仪 光切显微测厚仪：范围为0 mm ～5mm，精度为0.001mm。 电子千分尺：范围为0 mm ～5mm，精度为0.001mm。 丝网印刷机。 红外干燥箱：最高使用温度为300℃，控制温度精度为±5℃。 隧道烧结炉：最高使用温度为1000℃，控制温度精度为±10℃。 测试步骤 在常压、温度15～35℃、相对湿度45％～75％条件下进行测定。 将待测浆料搅拌均匀后取样，用200目丝网印刷机将取样浆料印刷在基片上，印制6片。 印制图形如图1所示，试样长度方数为100方，膜宽为1mm，1mm×1mm为1方，电阻浆料需印烧电极 基片水平放置不少于10min。 将陶瓷基片放入干燥箱中于70℃~80℃干燥，将干燥后的试样基片放入隧道炉中烧结，烧结温度根据浆料型号确定。基片取出后在测试环境下放置4h后测量。 将有机树脂基片于浆料固化温度下固化，基片取出后在测试环境下放置4h后测量。 电极膜带及测试点示意图 根据试样估计阻值范围，选择电阻测量仪量程档位，在此量程下调整零点。 将电阻测量仪两电极分别放在测试样片膜层的两端点上，使之良好接触（接触点见图1）。低电阻采用四线量测。每个试样分别在正反电流方向下各测量3次，取6次读数的算术平均值作为100方电阻的测量值。 用光切显微测厚仪在陶瓷基片烧结试样膜层上选择不同的位置，取不少于6点进行膜层厚度测量，取其算术平均值作为膜厚测量值。 用电子千分尺在有机树脂固化试样膜层上选择不同的位置，取不少于6点进行膜层厚度测量，取其算术平均值作为膜厚测量值。 试验结果计算 方阻的测试结果按式（1）进行计算： ………………………………………………………（1） 式中： Rs——方阻值，单位为欧姆/方（Ω/□）； R——100方电阻值，单位为欧姆（Ω）。 数值修约按GB/T8170规定进行，取两位有效数字。 规定标准膜厚为10μm，当测定的试样的膜厚不是本标准所规定的厚度时，膜带标准厚度的方阻值可按附录A的式（A.1）进行换算。 若6个试样的测试数据中的可疑结果与其除外的平均值的差值的绝对值大于该组（不包括可疑结果）标准偏差的4倍时，则弃该可疑