退火温度对！#薄膜结构和发光特性影响！.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’’ %$$# ， ， ， EX5 .’’ CX . K4,=4N7 %$$# （ ） $$$2D%F$P%$$#P’’ $ P$D$2$0 MJGM HQV)WJM )WCWJM #%$$# J9*, . H97O . )X@ . 退火温度对!# 薄膜结构和发光特性的影响! 孙成伟 刘志文 张庆瑜! （大连理工大学三束材料改性国家重点实验室，大连 #$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$’ %( %$$’ # # 采用反应射频磁控溅射法在 （ ）基片上制备了高 轴择优取向的 薄膜，研究了退火温度对 薄膜 )* $$ ! +,- +,- 的晶粒尺度、应力状态、成分和发光光谱的影响，探讨了+,- 薄膜的紫外发光光谱和可见发光光谱与薄膜的微观状 态之间的关系 研究结果显示，在 — 退火温度范围内，退火对薄膜的织构取向的影响较小，但薄膜的应力 . #$$ $$$/ 状态和成分有比较明显的变化 室温下光致发光光谱分析发现，薄膜的近紫外光谱特征与薄膜的晶粒尺度和缺陷 . 状态之间存在着明显的对应关系；而近紫外光谱随退火温度升高所呈现的整体峰位红移是各激子峰相对比例变化 的结果. 此外，研究结果显示，薄膜的可见发光光谱对退火温度极为敏感. 关键词： 薄膜，退火，光致发光，射频反应磁控溅射，可见光发射 +,- ： ， ， $% #(’’ 0($ 0(’’ 本文采用反应射频磁控溅射方法在硅衬底上成 功制备了高 轴择优取向的氧化锌薄膜 研究了薄 A 引 言 ! . 膜的微观结构、晶粒尺度、应力状态和薄膜成分随退 氧化锌作为新一代的宽带半导体，具有广泛的 火温度的变化规律，并对不同温度退火后的紫外发 ［］ 应用，如+,- 薄膜可以制成表面声波谐振器 ，压 射光谱和可见光光谱解谱分析. 本文的研究目的是 ［］ ［］ 电器件% D ， 蓝光薄膜的过渡层 以及太阳能电 B4C 探讨薄膜的结晶状态、缺陷状态和薄膜成分等因素 ［］ 池的透明导电膜和过渡层 等. +,- 具有纤锌矿晶 对光致荧光的影响. 体结构，禁带宽度为D AD0?E，激子束缚能为#$3?E， 可以实现室温下的激子