第一章电磁场基础.pptVIP

电场强度： 电荷周围存在着一种特殊形式的物质，称为电场。相对于观察者为静止的且其电量不随时间而变的电荷所产生的电场，称为静电场。引入电场的任何带电体都受到电场的作用力。 电磁场是物质的一种形态，具有能量，动量和质量。 1.5导体和电介质静电场中的导体： 导体内部电场强度为零， 电荷分布在导体的表面， 表面电场强度与表面垂直。 等位面是球面，电位与?无关。即?为任意值时，上述式成立。 因而二点电荷必须满足关系： 如果满足上述两式，两点电荷q1，q2就能在空间中形成半径为R的零值等位球面。 其位置对球心是互为反演点。 例1.8 在点电荷q的电场中，引入一接地金属球。求达到新的静电平衡状态后球外的电场。 解：设金属球心与点电荷的距离为d，电位函数满足的条件是：除点电荷所在处外，到处有： , 金属球面上?＝0 。 设想将金属球撤除，并使空间充满介电常数为?的介质，在离球心b（＝R2 /d）处放置电荷q’（＝－Rq/d）。 根据例3.7的结果，原电位函数满足的条件未变。 对金属球外区域中的电场可根据q和q’两电荷来计算。 可将镜像电荷q’理解成金属球面上负值感应电荷的作用。 若金属球不接地，还必须考虑正值感应电荷的作用。可证明球外一点的电场可看成由三个点电荷q，q’,q’’产生(q’’=Rq/d位于球心) 例1.9 半径为a的接地导体圆柱外由一条和它平行的线电荷，密度为?l1 ，与圆柱相距为d1。求空间电位函数。 解： ???????（1）线电荷?l1在空间产生场强 任取Q点作为参考点，则线电荷?l1在空间一点电位 （2）设 ?l1的镜像电荷?l2在原点与?l1的垂直连线上，与圆柱轴线距离的d2＝a2/d1 圆柱接地，在通过P2 的直径与圆周的两交点上的电位为零。 代入d2＝a2/d1 可得 镜像电荷与原像电荷线密度大小相等，型号相反。 空间一点的电位 在静电场中，由任意闭合面穿出的 通量只与面内自由电荷有关，与介质无关。但 分布与介质分布有关 高斯通量定理对静电场普遍适用。 对于各项同性的线性介质 令 从高斯通量定理可见:D线从正自由电荷出发，终止于负自由电荷。 高斯通量定理的应用：电荷分布有对称性时，电场分布也有一定对称性。 例1．3真空中有两同心金属球壳，内球壳半径R1，带电q1，外球壳半径R2，壳厚?R2，所带电q2，求场中各处的电场强度和电位。 （1）内壳表面带电q1，外壳内表面带电－q1，外壳外表面带电q1＋q2。 （2）rR1, , （3）R1rR2,应用高斯定理特殊形式， （4）R2rR2＋?R2， (5) r R2＋?R2 2．求电位 以无限远为参考点， （1）rR2＋?R2， 外壳电位：将r＝R2＋?R2 代入 (2) R2rR1 (3)内球壳电位： 将R1代入， （4）rR1，电位为内球壳电位 1.7静电场的基本方程 分界面上的边界条件 静电场是守恒场，高斯通量定理，是静电场的二个基本性质，不管介质如何分布都成立。 积分形式的基本方程 应用斯托克斯公式和散度定理 得到微分形式的基本方程 E是无旋的，根据场论知识 根据亥姆霍兹定理，要确定一个向量场，必须同时确定其散度和旋度，所以基本方程包括散度方程和旋度方程。 分界面上的边界条件 唯一确定有限区域中的矢量场需： 基本方程，矢量场在边界上的切向分量或法向分量。 考虑分界面处P点。电场强度在第一介质和第二种介质中紧靠P点的切线和法线分量分别是 E1t，E1n，E2t，E2n。 考虑包围P点的虚线闭路，其轴线与分界面重合。?l2趋于零，?l1很小。 在两种电介质的分界面上，电场强度的切线分量必须连续。 考虑分界面处P点。电位移在第一介质和第二种介质中紧靠P点的切线和法线分量分别是D1t，D1n，D2t，D2n。 界面上的自由电荷面密度为?。考虑包围P点的小圆柱体，底面积为?S。 ?l趋于零。 如果分界面上不存在作面分布的自由电荷，则D的法向分量连续。 D1n＝D2n ? 对各向同性的线性介质，介电常数分别是?1和?2， 界面条件可写成 静电场的折射定律 D和E同方向 设第一种介质是导体，则D1＝0，E1＝0，导体的电荷只能分布在表面， E1t＝E2t＝0，D2t＝0，E2n＝?/?， D2n＝? 介质中与导体表面相邻之点的电场强度E和电位移D都垂直与导体表面，电位移的值为该点的电荷面密度。 例1.4 图1图2都表示平板电容器，设d1，d2，S1，S2，?1和?2已给定，对于前者还给定了极板间的电压U0，对于后者则给定了两极板上的总电荷。试分别求其中的电场强度。 解：（1）两种