第5章存储系统2.ppt

5.2 随机读写存储器（RAM） 5.2.1 静态RAM 5.2.2 动态RAM 5.2.1 静态RAM 2.静态RAM的结构 5.2.1 静态RAM 3. SRAM芯片实例 常用典型的SRAM芯片有6116（2KB×8位）、6264（8KB×8位）、62256（32KB×8位）、628128（128KB×8位）等。 （1）Intel 6116容量为2K×8位，有2048个存储单元，需要11根地址线,其引脚及功能框图如图5-6所示。 1. RAM记忆元件 RAM（redom access memry，随机存取存储器），要求元件有如下记忆特性： 有两种稳定状态； 在外部信号的激励下，两种稳定状态能进行无限次相互转换； 在外部信号激励下，能读出两种稳定状态； 可靠地存储。 半导体RAM元件可以分为两大类： SRAM是利用开关特性进行记忆，只要电源有电，它总能保持两个稳定的状态中的一个状态。 DRAM除要电源有电外，还必须动态地每隔一定的时间间隔对它进行一次刷新，否则信息就会丢失。 (1) SRAM记忆元件 SRAM电子记忆元件有双极性和MOS开关两种。 (1) SRAM记忆元件 写过程：字线选中，读写控制门打开。 写“1”时，位线b′上送高电平，使T2导通，位线b上送低电平，使T1截止。这种状态不因写脉冲的撤离而改变，因为T2，T1成反向偶合，只要Vcc上有5 V的电位，就能保持这一状态。 (1) SRAM记忆元件 写过程：字线选中，读写控制门打开。 写“0”时，位线b′上加低电平，位线b上送高电平，使T2截止、T1导通。 (1) SRAM记忆元件 读过程：字线选中，位线b′和b分别与A点和B点相通。 若记忆单元原存“1”，A点(即位线b′)为高电平(读1)； (1) SRAM记忆元件 读过程：字线选中，位线b′和b分别与A点和B点相通。 若原存“0”，B点(即位线b)为高电平。 5.2.1 静态RAM 5.2.2 动态RAM 1.动态RAM的存储单元 (2) DRAM记忆元件 DRAM记忆元件是靠栅极电容上的电荷保存信息，所以也称电荷存储型记忆元件。 (2) DRAM记忆元件 DRAM记忆元件是靠栅极电容上的电荷保存信息，所以也称电荷存储型记忆元件。 * * * 返回本章首页 T5、T6为控制管，接X地址选择线（又称字线），当X地址选择线为高电平时，T5、T6导通，使双稳态电路与读/写电路连接，可对其进行写入或读出。当X地址选择线为低电平时，T5、T6断开，双稳态电路与读/写电路断开，T1、T2存储信息保持原状态不变。 教学进程 5.2.1 静态RAM (I/O) (I/O) T8 X地址译码线 T7 A B T6 Vcc T3 T4 T1 T2 T5 接Y地址译码器 六管SRAM基本存储电路 1. 六管静态存储电路 ●（1）写操作 如果要写入1，则在I/O线上输入高电平，在I/O线上输入低电平，它们通过T5、T7和T6、T8分别与A、B端相连，使A＝1，B＝0。则T1截止，T2导通。当输入信号和地址选择信号消失后，T5、T6 、T7、T8截止，T1、T2保持被写入的状态。只要不断电，写入的信息就保持不变。 ●（2）读操作 只要某个存储单元被选中，则T5、T6 、T7、T8导通，存储信号被送到 I/O和I/O线上。读出时I/O和I/O线接到一个差动放大器上，由电流的方向可以判定存储单元的信号是“1”还是“0”。 教学进程 1.六管静态存储电路 2. SRAM芯片 A0~A12 ：地址信号线 D0~D7 ：双向数据线8位 CS1、CS2：片选信号 OE ：读控制信号 WE ：写控制信号 Vcc：+5V：工作电源 GND ：地线 NC ：空端 教学进程 6.2.1 静态RAM NC A 12 A 7 A 6 A 5 A 4 A 3 A 2 A 1 A 0 D 0 D 1 D 2 GND — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — — V CC WE CS 2 A 8 A 9 A 11 OE A 10 CS D 7 D 6 D 5 D 4 D 3 1 28 2 27 3 26 4 25 5 24 6 23 7 22 8 21 9 20 10 19 11 18 12 17 13 16 14 15