PVD、CVD工艺参数.docVIP

一，化学气相沉积硅薄膜 背底真空1.33x10-2Pa 热丝电流6 (A) 工作气压100Pa 气体比例(CH4:SiH4:H2) 3:3:50 沉积时间110min 二,PECVD沉积氮化硅薄膜 1，温度：450oC NH3/SiH4 =8:1 总气体流量：4320sccm 压力：170pa 沉积时间：720s 2，：ＮＨ３／ＳｉＨ４ 流量比的范围为３．５—４．５ 衬底温度范围为２８５０Ｃ—３１５０Ｃ 反应压力９０Ｐａ—１３０Ｐａ 淀积时间９０ｓ—１０５ｓ 为较理想的沉积工艺条件。 三，PECVD淀积二氧化硅薄膜 衬底温度：150-300oC ＳｉＨ4/CO2=1:3-1:6 沉积时间：10-20分钟 沉积压力：1.5-2.0托 真空度：2x10-2托 四，射频磁控溅射制备ZNO薄膜 Ar 流量固定为 26 标况毫升每分（sccm） 功率：200W 压强：1PA 五，磁控溅射PbTe 纳米颗粒膜 背景真空： 2.0×10-4Pa 工作气体：高纯Ar 工作压力：0.15 Pa 溅射功率：30W 退火温度：400℃ 退火时间：15 min 六，磁控溅射CUO薄膜 真空度：2.0xlO-4Pa 溅射气体：99.999%的高纯氩气 沉积室的气压：0.5Pa 射频功率：35W 衬底温度为200oC 溅射时间:1h。 七，磁控溅射硅基薄膜 射频频率： 13.56MHz 溅射气体：Ar，纯度 99．999％ 溅射靶材：多晶硅，纯度 99．999％，直径 60mm 靶材与基片间的距离：8cm 本底真空：1.4X10-4Pa 八，磁控溅射制备ZNO-SNS复合膜 衬底温度为 400K, 真空度为 4 . 0X10-4Pa 衬度与蒸发源的距离为 10cm 蒸发源温度为 1000oC 沉积时间：40min 工作气压:0.2pa 溅射功率:150W 九，三步共蒸法制备CIGS薄膜 真空度：10-3以下 预蒸镀：5min 正式蒸镀：2min 预置层退火温度：350-400oC Culn0.7Gao0.3Se2的化学计量比称量原料(Cu:0.18929，ln:0.23939，Ga:0.10269，Se:0.47029)抽真空至3.gx1o一:‘Pa，分三步蒸发Cu、In、Ga、Se材料，而后始终保持真空度为 3.9x10-3Pa以下，快速加热至所需温度进行原位真空退火. 第一步:常温下共蒸发工n、Ga、Se约1.smin，退火30min。制备过程中控制原料蒸发量，控制原子比例In:Ga=0.7:0.3，In+Ga/Se=2:3。 第二步:常温下共蒸发Cu和Se约Zmin，550℃下退火3Omin。 第三步:常温下共蒸发In、Ga、Se约1.5min，550oC下退火30min。 十：直流磁控溅射制备ITO薄膜 溅射压强：2mTorr 氩氧比例：16:0.5、 退火温度为 427℃ 基板与靶材距离：15cm 退火时间为 1h 溅射功率：300W 退火氛围为真空 沉积温度为 127℃。 十一 磁控溅射制备ZNO薄膜 Zno:A1203氧化物靶的制备过程如下:用Zno和A12O3制备Zno:Al氧化物靶实际是一个固相反应的过程，所用的Zno和A12O3粉末的颗粒度越细则越有利于固相反应的进行。在本工作中所用的Zno粉末的纯度为99.99%，颗粒直径约为1~2pm，A1203粉末采用平均直径为0.05pm的超细高纯度氧化铝粉末。具体制靶的过程为:分别称取99.99%的ZnO和A12O3粉末若干，其中A12O3占混合物重量比的3%，混合物在玛瑙钵中反复研磨混合，使其充分细微均匀。然后在不锈钢模具中，在无锡建材研究所生产的Vax一32型压力机上进行压片，压力为200KN，保压时间是10分钟，脱膜时应小心谨慎，以免产生层裂。为了提高压片的效果，可以在混合物粉末中加入少量的乙醇。最后将此圆形靶置于A12O。陶瓷板上，放入通常用的半导体材料氧化(或扩散)高温炉内，温度调控在1000℃。在加热过程中用压缩空气经酒精鼓泡将酒精带入炉管，酒精的温度控制在30℃，在这温度下酒精的饱和蒸气压已达9000Pa，空气流量约为0.5L/min。加热12h后靶随炉冷却至室温，在整个冷却过程中酒精蒸气流不可中断。靶冷却后取出，用万用表测量其电阻值应小于1k。如果靶的阻值过高，着可重复上述研磨一压靶一烧结过程。现将制靶过程的流程图表示如下ZNO.png: 用多靶磁控溅射镀膜机，溅射制备试样条件如下: A1203和Zno烧结成的陶瓷靶: ￠56X5，A12O3及Zno的纯度均大于99.9% A1203的掺杂量分别为1%、2%、3%、4% 溅射气体:Ar(纯度妻99.99%，压强为1.OPa) 02(纯度)99.99%，压强为0.ZPa) 基片:载玻片，尺寸:25mmx50mm