第章场效应管放大电路讲解培训.pptVIP

4　场效应管放大电路;场效应管(FET)的特点： 体积小、重量轻、耗电省、寿命长；输入阻抗高、噪声低、热稳性好、抗辐射能力强、制造工艺简单。 主要用途：大规模和超大规模集成电路。 分　　类：结型场效应管(JFET)、金属-氧化物-半导体场效应管;特点：只有一种载流子参与导电(电子或空穴)。 本节要掌握的主要内容： 了解FET的结构、基本工作原理、特性曲线、主要参数、基本放大原理。;4.1　JFET;Date;Date;Date;　2.　工作原理;因此，讨论JFET的工作原理就是讨论vGS对iD的控制作用和vDS对iD的影响。 　(1)　 vGS对iD的控制作用 如图4.1.3所示。 　a. vDS＝0，导电沟道不变，如图4.1.3a 。 b.当vGS由零向负值增大时，在反偏电压vGS作用下，两个PN结的耗尽层(即耗尽区)将加宽，使导电沟道变窄，沟道电阻增大，如图4.1.3b。;Date; c. 当vGS的绝对值进一步增大到某一定值 时，两侧耗尽层将在中间合拢，沟道全部被夹断，如图4.1.3c所示。 此时漏源极间的电阻将趋于无穷大，相应的栅源电压称为夹断电压VP（也有的用vGS（off） 表示的）。;Date;［转20］;另外，增加vDS，虽然产生了阻碍漏极电流iD提高的因素。但在vDS较小时，导电沟道靠近漏端区域仍较宽，这时阻碍的因素是次要的，故iD随vDS 升高几乎成正比地增大，构成如图4.1.5a所示曲线(图4.1.5为FET的输出特性，其定义见4.1.2节)的上升段。;［转19］;c.　当vDS继续增加，使漏栅间的电位差加大，靠近漏端电位差最大，耗尽层也最宽。当两耗尽层在A点相遇时(图4.1.4c)，称为预夹断，此时， A点耗尽层两边的电位差用夹断电压VP来描述。由于vGS=0，故有vGD＝－ vDS＝VP。 当vGS ≠0时，在预夹断点A处VP与vGS、 vDS之间有如下关系： vGD = vGS - vDS＝ VP 　　 (4.l.1);图4.1.4c所示的情况，对应于图4.1.5a中iD达到了饱和漏极电流IDSS， IDSS下标中的第二个S表示栅源极间短路的意思。 d.　沟道一旦在A点预夹断后，随着vDS上升，夹断长度会略有增加，亦即自A点向源极方向延伸(如图4.1.4d所示)。;　但由于夹断处场强也增大，仍能将电子拉过夹断区(实即耗尽层)，形成漏极电流，这和NPN型BJT在集电结反偏时仍能把电子拉过耗尽区基本上是相似的。在从源极到夹断处的沟道上，沟道内电场基本上不随vDS改变而变化。所以，iD基本上不随vDS 增加而上升,漏极电流趋于饱和。;如果FET栅源极之间接一可调负电源，由于栅源电压愈负，耗尽层愈宽，沟道电阻就愈大，相应的iD就愈小。因此，改变栅源电压vGS可得一族曲线，如图4.1.5b所示。由于每个管子的VP为一定值，因此，从式(4.1.1)可知，预夹断点随vGS 的改变而变化，它在输出特性上的轨迹如图4.1.5b中左边虚线所示。;Date;分析表明：在0vDS (预加断之前)时，iD与vDS呈线性关系；当vDS Vp(预加断)之后， iD 趋于饱和，vDS再增加， iD 变化不大。 (3)　结论(P160)： ①　JFET栅极与导电沟道之间的PNJ是反向偏置的，因此，iG≈0，管子的输入电阻很高。;　②　JFET是电压控制电流器件，iD受vGS的控制。 　③　预夹断前，iD 与vDS呈线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 　P沟道JFET工作时，其电源极性与N沟道JFET的电源极性相反，工作原理基本相同。;4.1.2　JFET的特性曲线 1.　输出特性 如图4.1.5(b)所示。 ①　Ⅰ区为可变电阻区，此区，iD受vGS的控制。 ②　Ⅱ区为饱和区或恒流区，FET作为放大器件时，一般就工作在此区，所以，Ⅱ区又称之为线性放大区。此区， iD 基本不受vGS 和vDS的控制。;［转29］;③　Ⅲ区为击穿区，此区，由于PNJ所受的反向电压过高，而使PNJ发生雪崩击穿。 2.　转移特性 如图4.1.6所示。 iD = f (vGS) 　　=C 转移特性曲线可以从输出特性曲线上获得。 3.　主要参数(参阅P162~163);(1)夹断电压VP 由式(4.1.1)和图4.1.4c知，当vGS＝0时，－vDS＝ VP 。但实际测试时， 通常令vDS 为某一固定值(例如10V)，使iD等于一个微小的电流(例如50μA)时，栅源之间所加的电压称为夹断电压。从物理意义上来说，这时相当 于图4.1.4d中的夹断点延伸到靠近源极，达到全夹断状态。;考虑到靠近源端纵向电位差接近于零，源端耗尽层两边的电位差可认为是vGS，所以此时有 vGS＝V