点探测器教学教材.ppt

*;　光电子发射探测器;光电子发射器件;2.1.1 光阴极材料及其光谱响应;*;*;*;4、负电子亲和势光电阴极;负电子和正电子亲和势光电阴极比较具有以下特点;*;*;① 光电管的特性曲线。 光电特性：光电流与光照量在一定 范围内呈直线关系（光电管的动态范 围）。相比而言，真空光电管灵敏度 低，但线性好，动态范围大，稳定性 好，所以运用较多。 伏安特性： ;*;*;*;四、光电倍增管的主要特性;②光电倍增管噪声特性 光电倍增管的噪声主要来源是暗电流、光信号电流、背景光电流以及负载电阻的热噪声。 ;3. 总电流iA决定的散粒噪声;五、小结 ;光电导效应：某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收，从而改变了物质电导率的现象。 利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等）制成的电导随入射光强度变化器件。最典型的光电导器件是光敏电阻。 光敏电阻的优点：体积小，坚固耐用， 价格低廉，光谱响应范围宽。;光敏电阻的原理图;光敏电阻的基本结构 ;光敏电阻; 光谱响应特性：光敏电阻对各种光响应灵敏度随入射光的波长变化而变化的特性。;2、光照特性; 光敏电阻的响应时间（又称为惯性）。当用一个理想方波脉冲照射时，光生电子要有产生的过程，光生电导率Δσ要经过一定的时间才能达到稳定。当停止辐射时，复合光生载流子也需要时间。 响应时间由上升时间常数tr和下降时间常数tf表示。 影响光敏电阻的响应时间的有： （1）入射辐射的强弱，光照越强 其时间常数越小； （2）负载电阻，其值越大，tr缩 短，tf延长； （3）暗处放置的时间越长，响应 时间越长；;4、稳定特性;5、噪声特性;产生－复合噪声：;*;　 §2.3.3 几种常用的光敏电阻;§ 2.3.4 使用注意事项;§2.3.5光电导探测器的偏置方式;a.恒流偏置(RL》Rg);怎样检查光敏电阻的好坏;2.4 光伏探测器;§2.4.1　光电转换原理;２.4.2 光伏探测器的工作模式;光伏探测器的伏安特性曲线如下：;§2.5　光电池; 硅光电池的基本结构和工作原理;2.5.1 短路电流和开路电压;;2.5.2 输出功率和最佳负载电阻;光谱响应;频率特性;2.6 光伏探测器—光电二极管;2.6.1 硅光电二极管 ;;*;*;*;由等效电路可知，信号功率和噪声功率分别为;*;6. 噪声特性 ;2.6.2 PIN型光电二极管 ——PIN管;;1.工作原理 ;2.噪声 ;*;*;*;*;2.6.4光电三极管 ;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*; 热电探测器是不同于光子探测器的另一类探测器,它基于光辐射与物质相互作用的热敏效应制作的器件。它在光电探测器中有着重要地位。 优点：不需致冷，不需偏置电压； 在很宽的光谱波段有平坦的响应； 缺点：探测率较低； 时间常量较大(频率低)；; 热电探测器热回路最简单的模型如图所示： ;能量守恒：探测器吸收的辐射功率等于单位时间内系统内能的增量和与外界热交换时所损耗的功率之和。因此，可建立以下热回路方程： 利用初始条件：t＝0时，ΔT＝0，解得: 当t H/G，第一项可以忽略，得： ;定义热敏元件的灵敏度RT：单位功率产生的温度变化。 τH＝H/G，是热电探测器的时间常量. 意义： 当 t＝τH时，热电探测器的温升衰减为初始值的1／e; τH的数量级约为几毫秒至几秒，比光子器件的时间常量大得多,它是慢响应探测器。 ;理想探测器的最小可探测功率的估算 如果只考虑辐射交换，不计因支架和引线等引起的热传导时，根据斯持藩—玻耳兹曼定律，设探测器的光敏面积为A，发射率为ε，当探测器与外界达到热平衡时，它所辐射的总功率为: P =εAσT4 其中σ为斯特藩—玻耳兹曼常量，T为温度。 ;热电探测器的极限是由于温度噪声。温度噪声功率为:;;因为;;输出电压为： ;2. 噪声特性;热噪声电压为 ;;;热探测器与光子探测器的比较;*;2.9.1 探测器的伏安特性回顾及基本概念;*;静态：当电路没有输入信号时（对光信号而言指恒定的或缓慢变化的光信号），电路中各处的电压、电流都是不变的直流，称为直流工作状态或静止状态，简称静态。在静态工作情况下，负载线和伏安特性曲线的交点称为静态工作点。 动态：当电路输入信号后，电路中各处的电压、电流处于变动状态，这时电路处于动态工作状态，简称动态。如在许多场合下，光电检测电路接受到的是随时间变化的瞬变信号或各种形式的调制光信号。在动态工作情况下，负载线和伏安特性曲线的交点称为动