复合材料第4章 复合材料的制备方法2.pptVIP

4.3 特殊的新型制备方法 4.3.1气相的化学反应 一、CVD 法 （Chemical Vapor Deposition） 原来是用于陶瓷的涂层和纤维的制造等的方法。 从化学反应的原理上看，CVD法中有以下几类反应： ①热分解反应； ②氢还原反应； ③复合反应； ④与基板的反应。 在复合材料的制造中，上述方法的①③④使用较多。 CVD 法 CVD 法中使用的基体与气体 CVD法的主要优缺点 优点： 可以得到晶体结构良好的基体； 对由强化材料构成的预成形体的附着性好， 可以制得形状复杂的复合材料； 纤维或晶须与析出基体间的密着性好。 缺点 工序时间较长； 对预成性体的加热反应可能会引起纤维或晶须等强化材料的性能下降。 二、化学气相渗透 CVI  (Chemical Vapor Infiltration) 作为陶瓷基复合材料的一种制备方法，CVI法近年来在美国、法国、德国等欧美国家进行了较多的研究。 与CVD法相比，主要有以下特点： 析出的表面积较大，因此所需时间较短； 可以在预成形体内部析出，因此可以用于有一定厚度的材料的成形。 1、CVI法的原理 2、CVI装置及预成型体内的温度分布 3、CVI法的特征 ①预成形体内存在有气体的浓度梯度； ②预成形体内存在有温度梯度； ③由于温度梯度的影响使预成形体内的压力形成梯度。 CVD与CVI法的比较 4.3.2 利用液相的方法一、纤维在低粘度陶瓷中的含浸 二、利用熔融金属与陶瓷(金属)的反应 该方法也称为反应溶浸法（Reaction infiltration） 以碳纤维与熔融Si反应，得到SiC纤维为例 C + Si = SiC 将碳纤维的预成形体放入熔融Si中进行含浸，在反应过程中有SiC的随机长大而粗化的现象 。 该方法的一个缺点是有未反应的Si残留在基体内。 除Si-C体系外，可将该方法用于Si-Mo等生成金属间化合物。 三、 利用熔融金属与气体的反应 工艺简介 强化体材料悬浮于熔融金属之上，在氧化气氛中发生定向氧化 2Al +3/2O2 +（ 添加元素 ） ? Al2O3 + （残留Al） 问题：残留低熔点金属 4.3.3 利用陶瓷-金属（陶瓷）间的反应（SHS法) (Self-propagation High temperature Synthesis） 利用陶瓷/陶瓷或陶瓷/金属间的反应是合成复合材料中使用最多的方法。 由于这类反应是利用自身所生成的热量使反应进行到底，所以也称为SHS法—高温自蔓延法。 在20世纪70年代，已有报道说用该方法合成了200种以上成分的复合材料。 SHS法制备复合材料的代表性例子 * CH4, C3H8, C2H2, C6H6 BCl3-H2, BBr3-H2 CH3SiCl3-H2, (CH3)2SiCl2-H2, SiCl4-CH4-H2 SiCl4-NH3 BCl3-CH4-H2, BBr3-CH4-H2 MeCl4-CH4-H2 (Me=Ti,Zr) MeCl4-BCl3-H2 (Me=Ti,Zr) BCl3-NH3-H2 AlCl3-H2-CO2, ZrCl4-H2-CO2 碳 B SiC Si3N4 B4C TiC, ZrC TiB2, ZrB2 BN Al2O3, ZrO2 原料气体 生成的基体 (a)等温法 (b)温度梯度法 (c) (d)温度梯度与压力差并用法 (e)脉冲法 较 复杂 可纤维，颗粒 慢 低，载体 浓度低 低 内侧或 表面 CVI 较 简单 平面为主 快 高，载体 浓度高 高 基体 表面 CVD 设备 装置 基体状况 反应 速度 反应气体 压力 反应 温度 析出 场所 3190 3310 3200 2900 2570 2320 2900 TiB2 ZrB2 TiC AlN SiC + 2MgO 3TiC + 2Al2O3 3TiB2 + 2Al2O3 Ti + 2B Zr + 2B Ti + C Al + 1/2N2 SiO2 + 2Mg + C 3TiO2 + 4Al + 3C 3TiO2 + 4Al + 6B 温度（K） 生成物 原材料与反应 *