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嵌入式系统设计 天津大学计算机学院 车明 当一种新技术出现时，人们习惯上总是将其按传统方式分类，闪存就是如此。其分类方法也有多种意见，不过我们只要了解其特点，不必过于拘泥分类。 铁电存储器(FRAM)是第一个非易失性的RAM存储器。它结合了SRAM和DRAM易写入的特性，又具有Flash和EEPROM得非易失性的特点。铁电存储器在性能方面与EEPRON和Flash相比有三点优势之处: 首先，铁电存储器的读写速度更快。与其它存储器相比，铁电存储器的写入速度要快10万次以上。读的速度同样也很快，和写操作在速度上几乎没有太大的区别。其次，FRAM存储器可以无限次擦写，而EEPROM则只能进行100万次的擦写。最后，铁电存储器所需功耗远远低于其他非易失性存储器。 位于麦迪逊市的美国威斯康星大学的科学家们成功地研制出一种原子级存储器，用硅原子取代了目前计算机使用的二进制1和0数据存储方式。这篇发表在《纳米技术》杂志上的论文，标志着原子存储器走向实际应用的第一步，原子将代表比特，构成文字、图像及机读代码等信息。威斯康星科学家的工作证明了原子级存储器的可行性，并且为探索数据存储的基本限制提供了一个平台。但是技术的最终实现还需假以时日，目前明显的缺点是存储器只能在真空的环境下构建出来，并且在写入数据时必须用到显微镜，这使写程序非常耗费功夫。而且，存储密度和速度之间也有所折衷，当密度增加时，读取的能力随之下降，因为你存储一条信息所用空间越来越小。当你把存储器变得更小时，它将变得更慢。新存储器的存储方法可以类比DNA分子天然存储数据的方法，这是非常吸引人的。硅原子存储器使用20个原子存储一个信息比特，包括单个的原子附近的空间。DNA使用32个原子存储一个半化学碱基对信息，它是构成遗传信息的基本单位。 首先明确体系结构： 冯诺依曼 哈佛 下面开始介绍译码 多位地址系统中全译码将耗费大量资源，并不是嵌入式系统所必须。 重点分析定位不唯一的原因 由谁来保证 A13 – A15 至多仅一位为 0 ？ 4个芯片选择：除了3个直接线选，还1个在哪？怎么选？ 说明组合逻辑译码的应用场合，多片选译码不应使用组合逻辑译码。 更多的参数包括： 高、低电平电压范围 高、低电平电流 工作电压范围 多种动态时间参数 … 这种保护的强度有多高？ 是否还有手段破解呢？（逻辑分析仪） 对27S18前4字节的内容进行分析，指出可以实现A13-A15不变的条件下给出不同的片选信号。 如27S18前4字节为，则程序代码每4字节按1、2、4、3的规律分布在不同2764上。 指出读、写周期数据线的延时差别 计算应该以读周期为主要依据 提示前章总线负载的计算 说明目前存储器速度的提高，已极少有慢速 SRAM。 对27S18前4字节的内容进行分析，指出可以实现A13-A15不变的条件下给出不同的片选信号。 如27S18前4字节为，则程序代码每4字节按1、2、4、3的规律分布在不同2764上。 解释电路工作过程 回顾计算机原理中的刷新概念 刷新可以按行进行，不必每个单元处理 刷新周期如何计算？ 使用多端口存储器的好处 了解 GPU 吗？解释 GPU 的工作 单端口扩展多端口，需要那些管理逻辑？ 提示时钟信号的存在 逻辑上同时写相同的存储单元的动作是可以出现的，但写入的数据可能是随机的。 可以通过硬件访问标记避免同时写操作 也可以通过软件检测写入信息的方法检查写入的正确性 解释工作过程 什么情况无需编程功能？（作为程序存储器工作在应用环境中） 编程在哪里实现？（专用编程器） 此芯片无片选，可以吗？怎么用？（/G 是一般芯片 /OE 和 /CS 的或逻辑） 解释“页地址按64字节对齐”的含义 ? X25043 = Active LOW RESET （/RESET） ? X25045 = Active HIGH RESET AT28C64 的编程（写入） AT28C64 编程逻辑在芯片内部，芯片本身通过一个缓冲区连接外部数据线 AT28C64 的读出与 EPROM、RAM 相同 AT28C64 的写入数据按总线时序首先进入缓冲区，随后启动内部编程并在1毫秒内完成，编程期间 RDY 信号为低电平（BUSY）。 芯片 AT28C64X 的编程时间为 200 微秒 芯片 AT28C64B 还支持页编程，其缓冲区为64字节的页，可一次连续接收64字节 写入1字节后150us无新数写入，则开始编程 每写入1字节后150us内继续写入新字节