纳米尺度的电磁现象PPT.ppt

（1）纳米材料的介电常数e或相对介电常数er随测量频率减小呈明显的上升趋势。 （2）在低频范围，介电常数明显地随纳米材料的颗粒粒径变化，即粒径很小时，介电常数e或er 较低，随粒径增大， e或er 先增加然后下降。 （3）纳米a－A12O3块体的介电损耗频率谱上出现一个损耗峰．损耗峰的峰位随粒径增大移向高频。 7nm 27nm 84nm 258nm 压电效应 某些晶体受到机械作用（应力或应变）在其两端出现符号相反束缚电荷的现象称压电效应。具有压电效应的物体称为压电体。 早在1894年，Voigt就指出，在 32种点群的晶体中，仅有 20种非中心对称点群的晶体才可能具有压电效应，但至今压电性的微观理论研究方面还存在许多问题，无法与实验结果一致， 但压电效应实质上是由晶体介质极化引起。 我国科技工作在 LICVD纳米非晶氨化硅块体上观察到强的压电效应，并指出制备块状试样条件对压电常数的影响相大。压强为～60MPa的纳米非晶氮化硅试样具有最高的压电常数。 库仑堵塞 库仑堵塞效应是20世纪80年代介观领域所发现的极其重要的物理现象之一．当体系的尺度进入到纳米级，体系是电荷“量子化”的，即充电和放电过程是不连续的，充入一个电子所需的能量Ec 为e2/2C，体系越小，C越小，能量越大。这个能量称为库仑堵塞能。 换句话说，库仑堵塞能是前一个电子对后一个电子的库仑排斥能，这就导致了对一个小体系的充放电过程，电子不能集体传输，而是一个一个单电子的传输．通常把小体系这种单电子输运行为称库仑堵塞效应。 当电极电压低于阈值时,电子传输过程不能发生,当电压大于该值时,充电过程可以发生. 库仑阻塞的震荡特征, 可应用于开关电路 如果两个量子点通过一个“结”连接起来，一个量子点上的单个电子穿过能垒到到另一个量子点上的行为称作量子隧穿．为了使单电子从一个量子点隧穿到另一个量子点，在一个量子点上所加的电压必须克服 Ec，即V＞ e／C、通常，库仑堵塞和量子隧穿都是在极低温度情况下观察到的，观察到的条件是（ e2/2C）＞ kBT。 有人已作了估计，如果量子点的尺寸为1nm左右，我们可以在室温下观察到上述效应．当量子点尺寸在十几纳米范围，观察上述效应必须在液氮温度下．原因很容易理解，体系的尺寸越小，电容 C越小， e2/2C就越大，这就允许我们在较高温度下进行观察．利用库仑堵塞和量子隧穿效应可以设计下一代的纳米结构器件，如单电子晶体管和量子开关等。 Quantum Dots (量子点) Nano-electronics（纳米电子学） 纳米晶体管 研究者使用有机分子和一种化学自组装流程显著缩小了晶体管的体积，研制出了直径仅为1到2纳米的晶体管。　　利用这种技术，未来的计算机芯片还可以大幅缩小，否则的话由于芯片体积越来越小，上面可以安装的晶体管数量将极其有限，从而阻碍芯片行业在未来10到15年的发展。　　芯片上能够安装的晶体管数量越多，芯片传输信息的速度就会越快，因此纳米晶体管的问世将对芯片产业起到革命性的意义。这些科学家在研究中使用了名为“硫醇”的有机分子，他们表示这种分子在电流的控制和增容方面具有突出的效力。而且，这些分子还可以自行组装，从而将各个导电器件连为一体。 Nano-transistor （纳米晶体管） 碳纳米管是由多个碳原子六方点阵的同轴圆柱面套构而成的空心小管，其中石墨层可以因卷曲方式不同而具有手性。碳纳米管的直径一般为几纳米至几十纳米，长度为几至几十微米。 碳纳米管可以因直径或手性的不同而呈现很好的金属导电性或半导体性。 具有极好的可弯折性 具有极好的可扭曲性 碳纳米管可以制作成两维数据存储系统 (1015 bytes/cm2 compared to the current state of the 108 bytes/cm2) ... 。 碳纳米管的强度比钢高100多倍，杨氏模量估计可高达5 TPa， 这是目前可制备出的具有最高比强度的材料，而比重却只有钢的1/6；同时碳纳米管还具有极高的韧性，十分柔软。它被认为是未来的 “超级纤维”，是复合材料中极好的加强材料。 Another long single carbon nanotube (multiwalled carbon nanotube) attached to 4 gold contacts from above. This time, the ?inner two contacts are spaced by