[医药卫生]ch5 场效应管及其基本放大电路.ppt

多媒体技术与应用 第1章 计算机基础知识 《计算机基础》 第三章 图形与图像处理 5 场效应管 5.1 绝缘栅型场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 当UDS为0或较小时，相当UGD＞UT，沟道分布如图 所示。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 当UDS增加到UGD?UT时，沟道如图 所示。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 当UGS＞UT，且固定为某一值时，UDS对ID的影响，即iD=f(uDS)?UGS=const这一关系曲线如图所示。这一曲线称为漏极输出特性曲线。分为三个区 。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 特点： 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 5.1.3 P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 5.1.3 P沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道耗尽型MOSFET 5.1.5 场效应管的主要参数 (1) 开启电压UGS(on)(UT) UGS(on)是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 应用举例 例1、已知某管子的输出特性曲线如图所示。试分析该管是什么类型的场效应管（结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型）。 3.1 结型场效应管 1. 结型场效应管的结构（以N沟为例）： 3.1.1 结型场效应管 (1) 栅源电压对沟道的控制作用 3.1.1 结型场效应管 (2) 漏源电压对沟道的控制作用 3.1.1 结型场效应管 3.1.1 结型场效应管 3.1.2 结型场效应管 3.1.2 结型场效应管 3.1.2 结型场效应管 小结 无栅流。根据结型场效应三极管的结构，只能工作在反偏的条件下，对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区，否则将会出现栅流 多数载流子漂移导电 描述放大作用，用转移特性描述，二次函数。Idss、UGS(OFF)。 输出特性类似，命名不同。饱和区漏极电流取决于栅压 3.2.4 绝缘栅型场效应管 3.3.2 场效应管微变等效模型 3.3 场效应管与晶体管的比较 3.4 场效应管基本放大电路 场效应管的源极、栅极和漏极分别对应于晶体管的射极、基极和集电极。与晶体管的共射、共基和共集三种组态相对应，场效应管也有共源、共栅和共漏三种组态。 3.4.1 静态工作点的设置 3.4.1 静态工作点的设置 3.4.1 静态工作点的设置 例5.2.2、电路如图。已知UGS(th)=2V，IDO=2mA，VDD=15V，RG1=150K?， RG2=300K?， RG=2M?， RD=5K?， RS=500?， RL=5k?，试计算：1、静态工作点Q；2、输入电阻Ri和输出电阻RO；3、电压放大倍数 。 3.4.1 静态工作点的设置 解： 1、计算静态工作点Q 3.4.1 静态工作点的设置 3.4.1 静态工作点的设置 3.4.2 共源放大电路的动态分析 电路结构 3.4.2 共源放大电路的动态分析 （2）交流分析 先画出交流通路，再画出交流等效电路： 3.4.2 共源放大电路的动态分析 (3) 求gm 不要省略。 3.4.2 共源放大电路的动态分析 （4）求动态参数 ① 电压放大倍数 本章小结 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 电路结构 一个共漏放大器的电路图如下： 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 ⑵交流分析 先画出交流通路，再画出交流等效电路： 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 (3) 求gm 不要省略。 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 （4）求动态参数 ① 电压放大倍数： 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 ② 输入电阻： 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 应用举例 例5.2.2、电路如图。已知UGS(th)=2V，IDO=2mA，VDD=15V，RG1=150K?， RG2=300K?， RG=2M?， RD=5K?，