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[医药卫生]ch5 场效应管及其基本放大电路
多媒体技术与应用 第1章 计算机基础知识 《计算机基础》 第三章 图形与图像处理 5 场效应管 5.1 绝缘栅型场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 当uGS>0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 当UDS为0或较小时,相当UGD>UT,沟道分布如图 所示。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 当UDS增加到UGD?UT时,沟道如图 所示。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 当UGS>UT,且固定为某一值时,UDS对ID的影响,即iD=f(uDS)?UGS=const这一关系曲线如图所示。这一曲线称为漏极输出特性曲线。分为三个区 。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 转移特性曲线: iD=f(uGS)?uDS=const 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 特点: 当uGS=0时,就有沟道,加入uDS,就有iD。 当uGS>0时,沟道增宽,iD进一步增加。 当uGS<0时,沟道变窄,iD减小。 5.1.3 P沟道耗尽型MOSFET P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。 5.1.3 P沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道耗尽型MOSFET 5.1.5 场效应管的主要参数 (1) 开启电压UGS(on)(UT) UGS(on)是MOS增强型管的参数,栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 应用举例 例1、已知某管子的输出特性曲线如图所示。试分析该管是什么类型的场效应管(结型、绝缘栅型、N沟道、P沟道、增强型、耗尽型)。 3.1 结型场效应管 1. 结型场效应管的结构(以N沟为例): 3.1.1 结型场效应管 (1) 栅源电压对沟道的控制作用 3.1.1 结型场效应管 (2) 漏源电压对沟道的控制作用 3.1.1 结型场效应管 3.1.1 结型场效应管 3.1.2 结型场效应管 3.1.2 结型场效应管 3.1.2 结型场效应管 小结 无栅流。根据结型场效应三极管的结构,只能工作在反偏的条件下,对于N沟道结型场效应三极管只能工作在负栅压区,P沟道的只能工作在正栅压区,否则将会出现栅流 多数载流子漂移导电 描述放大作用,用转移特性描述,二次函数。Idss、UGS(OFF)。 输出特性类似,命名不同。饱和区漏极电流取决于栅压 3.2.4 绝缘栅型场效应管 3.3.2 场效应管微变等效模型 3.3 场效应管与晶体管的比较 3.4 场效应管基本放大电路 场效应管的源极、栅极和漏极分别对应于晶体管的射极、基极和集电极。与晶体管的共射、共基和共集三种组态相对应,场效应管也有共源、共栅和共漏三种组态。 3.4.1 静态工作点的设置 3.4.1 静态工作点的设置 3.4.1 静态工作点的设置 例5.2.2、电路如图。已知UGS(th)=2V,IDO=2mA,VDD=15V,RG1=150K?, RG2=300K?, RG=2M?, RD=5K?, RS=500?, RL=5k?,试计算:1、静态工作点Q;2、输入电阻Ri和输出电阻RO;3、电压放大倍数 。 3.4.1 静态工作点的设置 解: 1、计算静态工作点Q 3.4.1 静态工作点的设置 3.4.1 静态工作点的设置 3.4.2 共源放大电路的动态分析 电路结构 3.4.2 共源放大电路的动态分析 (2)交流分析 先画出交流通路,再画出交流等效电路: 3.4.2 共源放大电路的动态分析 (3) 求gm 不要省略。 3.4.2 共源放大电路的动态分析 (4)求动态参数 ① 电压放大倍数 本章小结 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 电路结构 一个共漏放大器的电路图如下: 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 ⑵交流分析 先画出交流通路,再画出交流等效电路: 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 (3) 求gm 不要省略。 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 (4)求动态参数 ① 电压放大倍数: 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 ② 输入电阻: 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 5.2.4 共漏放大电路的动态分析 应用举例 例5.2.2、电路如图。已知UGS(th)=2V,IDO=2mA,VDD=15V,RG1=150K?, RG2=300K?, RG=2M?, RD=5K?,
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