第2章-集成电路工艺原理应用.pptVIP

* B、P微晶玻璃的处理 无需活化处理，只需脱脂、烘干即可使用 片状源扩散装置示意图 * 利用气体(如N2)通过液态杂质源，携带着杂质蒸汽进入高温扩散反应管，杂质蒸汽在高温下分解，并与硅表面硅原子发生反应，释放出杂质原子向硅中扩散。 磷预淀积装置示意图 二、液态源扩散 * 源：B — B(CH3O)3 ; P — POCl3 反应方程： P: 5POCl3 = P2O5 + 3PCl5 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P 4PCl5 +5O2 = 2P2O5 + 10Cl2↑ B: 2B(CH3O)3 + 9O2 = B2O3 +6CO2↑+ 9H2O 2B2O3 + 3Si = 3SiO2 + 4B 特点： 自动化程度高，杂质量控制精确 * 三、 涂布掺杂法(spin-on-glass) 用法：在相对湿度30－60%的涂胶台内，用涂布法在Si表面涂布一层均匀的掺杂二氧化硅乳胶源，然后在 200 －400℃下烘焙 15－30 分钟，以去除薄膜上残留的溶剂,初步形成疏松的SiO2薄膜，最后作高温扩散。 源： As (arsenosilica)； Sb (antimonysilica)； B (borosilica)； P (phosphorosilica); 根据Rs和Xj要求决定扩散温度和时间 特点 ：掺杂元素多、浓度范围广；特别适合砷（As）扩散 * 一、薄层电阻的测量 1，四探针法条件：待测样品的长、宽比探针间距大很多 条件：待测样品的长、宽比探针间 C由样品指针间距S、样品长度L、样品宽度a、样品厚度d等尺寸决定； 用二探针来测量会造成金半接触少子注入，接触处有较大附加压降等问题； § 4. 7 扩散层质量检验 条件：待测样品的长、宽比探针间距大很多 * 2，范德堡测试图 ⅰ，参数结果准确； ⅱ，适用范围广，可以 测量常规方法难以获得的一些工艺参数； ⅲ，占用面积不大； ⅳ，测试方法简单； 范德堡图形 图中，正十字的中心部分是测试其方块电阻的有效区域 由中 心伸出的四条边称为引出臂 * 二、结深Xj测量 常用磨角法和滚槽法 直接测量 染色原理：当在结面上滴有染色液时，结两侧的硅与染色液形成微电池，两个极区反应不同，于是染色出现差异，结面被显示出来； 这两种方法都是利用P区和N区在染色上的差异，使PN结的界面显现出来，测量其深度； 1，磨角法 * 干涉法测量 λ：光源波长 N：干涉条纹数 滚槽法 D: 滚槽直径 X、Y由显微镜读出 * 染色方法： 化学染色 浓HNO3 滴入 0?1?0?5％（体积）的HF，制成染色液，样品放入几分钟，P区会变暗； 化学镀 CUSO4·5H2O:HF(48％)?H2O?5克?2ml?50ml 浸没硅片，光照约30?；由于，n型硅的电化学势比Cu高，置换出Cu淀积在n型硅的表面，呈红色。 PN 结 显 示 技 术 * 三、掺杂分布测量 1. C－V测量(Capacitance - Voltage Measurement) 从测量结的反偏电容和电压的关系可以测得扩散层的掺杂分布。对于突变结，结电容由下式给出： C(V)=[q?sNB/2]1/2[Vbi?VR-(2KT/q)]1/2 式中，?s 为硅的介电常数， Nb 为衬底掺杂浓度，Vbi 为结的内建势，VR 为反偏电压； * 2.扩展电阻测量 用扩展电阻法配合磨角法可在斜面上逐点测量扩展电阻，通过计算机系统可自动换算成电阻率和杂质浓度分布，并可自动绘制出分布曲线; 利用金属探针与半导体材料接触，从电流－电压曲线原点附近的特性来定出材料电阻率的一种方法。 a：为经验校正因子； * 用高能离子束轰击样品，使其产生正负二次离子，将这些二次离子引入质谱仪进行分析，再由检测系统收集，据此识别样品的组分。 3.二次离子质谱 (Secondary Ion Mass Spectrascopy: SIMS) * * §4.8 扩散工艺常见的质量问题及分析 一，硅片表面不良 1，表面合金点—主要是表面浓度太高所致 （1）预淀积时携带源的气体流量过大，或在通气时发生气体流量过冲； （2）源温过高，使扩散源的蒸汽压过高； （3