第3章-半导体三极管及其放大电路2详解.ppt

* 第3章2 * 2.　RC高通电路的频率响应 RC高通电路如图3.7.3所示。 * 第3章2 * 由上式可得低频区电压增益的幅值AVL 和相角　 分别为 如图(3.7.4)所示，图(a)为其幅频响应 * 第3章2 * a.　幅频特性(响应) ①　当f f L时 用分贝(dB)表示则为 20lg AVH≈20lg1＝0dB 这是一条与横轴平行的零分贝线，如图(3.7.4)(a)所示； ［转99］ * 第3章2 * * 第3章2 * ②　当f f L时 用分贝(dB)表示则为 20lgAVH≈20lg f /fL 这是一条斜率为20dB/十倍频程的斜线，如图3.7.4(a)所示。由上两条直线构成的折线，是近似的幅频特性。 * 第3章2 * 图中f L对应于两条直线的交点，称之为转折频率。 又有式(3.7.9)可知，当f = f L时， 即在fL处，电压放大倍数下降到中频区时的1/ 　(即0.707)倍，故fL又是放大电路的下限频率。 * 第3章2 * b.　相频特性(响应) 如图3.7.4(b)所示 ①　f fL时， →0o，得一条　　＝0o的直线。此时， 　　　的相位差等于零。 ②　f fL时，　→90o，得一条　 ＝90o的直线。此时， 　　　的相位差等于90o。 * 第3章2 * ③ f ＝ fL时，　＝45o。 由上三点分析可知，在0.1f H ~10fH之间，为一条斜率为－45o/十倍频程的直线。如图3.7.4(b)所示。 * 第3章2 * * 第3章2 * 3.7.2　单级放大电路的频率特性(响应) 1.　BJT的小信号建模 (1)　模型的引出 如图3.7.5(a)所示。(了解等效电路中的各元件)。 * 第3章2 * * 第3章2 * rbb：基区的体电阻，通常约为50~300Ω； rbe：为发射结的小信号交流电阻，实际值约为几十Ω； Cbe：为发射结结电容，小功率管约为几十~几百pF； rbc：集电结小信号时的交流电阻，此值一般约为100kΩ~10MΩ； * 第3章2 * Cbc：为集电结结电容，约为2~10pF； gm ：受控电流源，iC受控于 　 。 在高频的情况下，rb‘c的数值很大，与Cb’c并联时可以忽略不记；而rce与负载并联，而rce RL，rce也可以忽略不记，这样可得到图3.7.5(a)的简化模型，如图3.7.5(b)所示。　图3.7.5(b)又称为混合π型高频小信号模型。 * 第3章2 * * 第3章2 * (2)　参数的获得 a.　rbe＝rbb + rbe、 　　rbe＝(1+β0)VT／IE，(β0由β来，这里主要是加以区别) b.　gm---称为互导(跨导) c.　结电容Cbc、Cbe。 　　Cb‘c，就是手册中的Cob。Cb’e可用(3.7.17)式求得。 Cb‘c＝gm／2πfT (3.7.17) * 第3章2 * 　(3)　BJT的频率参数如图(3.7.7)所示。 * 第3章2 * a.　共发射极截止频率fβ fβ ：表示晶体管共发射极联接时，β值随频率增加而发生变化，当β值下降到中频区的1/　 时所对应的频率，即为共发射极截止频率fβ 。 b.　特征频率f T f T：β值下降到1(0dB)时所对应的频率,称为晶体管的特征频率f T 。 * 第3章2 * 　2.　共发射极放大电路的频率特性　共发射极放大电路的幅频特性如图所示。 (1)　中频特性(响应) 在中频区，放大电路中的耦合电容对交流信号可视为短路，晶体管的极间电容对交流信号可视为开路，其放大倍数(增益)是一个常数，此时： AVm＝－βRL /Ri ＝－βRL /rbe ［转114］ * 第3章2 * * 第3章2 * (2)　高频特性(响应) 在高频区，放大电路中的耦合电容对交流信号仍可视为短路，晶体管的极间电容对交流信号不可视为开路，极间电容对交流信号具有削弱作用，使其放大倍数(增益)随着频率的增加而降低。 上限频率 fH：当放大电路的放大倍数下降到中频区的1／ (0.707)倍时所对应的高端频率，称为放大电路的上限频率 fH。 * 第3章2 * (3)　低频特性(响应) 在低频区，晶体管的极间电容对交流信号可视为开路，而放大电路中的耦合电容对交流信号不可视为短路，耦合电容对交流信号具有削弱作用，使其放大倍数(增益)随着频率的减小而降低。 下限频率 fL：当放大电路的放大倍数下降到中频区的1／ (0.707)倍时所对应的低端频率，称为放大电路的下限频率 fL 。 * 第3章2 * (4)　放大电路的通频带BW BW＝fH－fL≈ fH * 第3章2 * 　3.7.3　多级放大电路的频率特性(响应)(3.7.4) 多级放大电路的