[工学]电力电子课件 第一章-晶闸管.ppt

* * * * 开通延时：从门极触发脉冲前沿脉冲10%开始，到阳极电压降到10%的时间间隔 产生原因是载流子积累和电流上升时造成。 延迟时间td：门极脉冲前沿10%至阳极电压下降了10%的时间。 上升时间tr：阳极电压从90%的到10%的所需时间。 开通时间ton以上两者之和，即为载流子积累和电流上升时间 Ton=td+ tr （1-6） 普通晶闸管延迟时为0.5~1.5?s， 上升时间为0.5~3?s。 * 关断时间：从通态电流降至零起，至晶闸管开始承受规定的断态电压瞬间的时间间隔。 反向恢复时间trr： 晶闸管的阳极电流降到零以后，J1/J3 PN结附近积累的载流子，在反向电压作用下产生反向电流并随载流子的复合而下降至零，J1/J3结开始恢复阻断能力，这段时间即为反向恢复时 间。 门极恢复时间tgr：此后，随着J2结两侧载流子复合完毕并建立起新的阻挡层，晶闸管完全关断而恢复了阻断能力，这段时间即为门极恢复时间。 在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通。 实际应用中，应对晶闸管施加足够长时间的反向电压，使晶闸管充分恢复其对正向电压的阻断能力，电路才能可靠工作。 关断时间tq：trr与tgr之和，即 tq=trr+tgr （1-7)） * * 门极伏安特性定义，本质就是J3,所以类似二极管特性 门极伏安特性的定义 对同一型号的晶闸管由于门极特性的离散性，通常用其中的高阻特性和低阻特性曲线作为边界，划定一个门极伏安特性的区域，其余的门极伏安特性均处于这个区域内。在该区域内又可分为不可触发区，不可靠触发及可靠触发区。雪 UGD/IGD与 UGT / IGT的定义 几个触发类型区 * PN结也有着最高电压，最高电流和最高功率的限制，由此引出这些概念 * * * 100/4=25 有驱动会亮，无驱动不亮，则说明电流小于掣住电流。15mA * * a.导道电流过小， b. 电压耐力不足 c. 合适 * * E=2* * * * * 至此，我们对晶闸管的外形，结构与电气符号有了大概的掌握。 * 前面我们从晶闸管的外部工作情况对器件进行了描述，这里我们将深入到芯片内核，对其工作原理进行解释。 * 由此，引出晶闸管的开关实验的几个结论 * 目前国内生产的晶闸管．外形有两种形式，一种为螺栓型，一种是平板型 首先介绍螺栓型晶闸管器件， * 对于平板型晶闸管器件的介绍 * 这里是几个晶闸管的实物照片，以增强大家的感观认识 * 这里是晶闸管内部管芯实际的结构， 它是由硅单晶体材料构成器件；为一四层三端器件：底部为P型硅晶材料，定义为P1层，它直接与阳极相连，再上一层为N型硅晶材料，定义为N1层，再加一层P型单硅材料，定义为P2层，P2层一方面利用导线引出门极控制端，另一方面再叠加一层N2层，N2层引出阴极端。 * 至此，我们对晶闸管的外形，结构与电气符号有了大概的掌握。 * * 由此，引出晶闸管的开关实验的几个结论 * 由上面的开关实验，给出晶闸管的开关条件，也即晶闸管的基本特性 * 前面我们从晶闸管的外部工作情况对器件进行了描述，这里我们将深入到芯片内核，对其工作原理进行解释。 * 将晶闸管NI层和P2层各分为两部分，是PNP,NPN的公共部分 则可将晶闸管看成由PNP型和NPN型两个晶体管的互连， 一个晶体管的集电极同时又是另一管的基极。 * 当晶闸管加上正向阳极电压，门极也加上足够的门极电压时，则有电流Ib从门极流入NPN管的基极，NPN管导通后，其放大后的集电极电流Ic2流入PNP管的基板使PNP导通，该管放大后集电极电流IC1又作为基极电流流人NPN管的基极，如此循环，产生强烈的正反馈过程，造成两个晶体管的饱和导通，从而使晶闸管由阻断迅速转为导通状态。 由于是正反馈，当IG能够引发NPN管导通后，两个晶体管形成正反馈自驱动，此时去除IG，仍能维持晶闸管的导通。 半控器件的本质也可根据此原理得到解释 * 在讨论晶闸管之前，首先回忆三极管的几个知识点 * 针对PNP写出电流方程；针对NPN写出电流方程 考虑PNP的基尔霍夫电流定律；考虑至器件的基尔霍夫电流定律 将1,2式代入3式，再将4式代入Ik，化简有如下公式： * 两个晶体管的电流放大倍数a1和a2的大小是随着发射极电流大小IC1(即Ia)和IC2(即Ik)的改变而变化． 其变化情况如图。 说明图中的描述方法，图中有两幅图合成，一是a1(Ic1)的曲线，另一个是a2(Ic2)的曲线。 * 在低发射极电流下? 是很小的，所以IA近似等于ICO； 随着两晶体管电流上升a而增大，当a1+a2约等于1时，IA会急剧上升，晶闸管由正阻断状态转为正向导道状态，电流大小仅处决于外部主回路。