[工学]电子线路基础chapter9.ppt

图 9.17 OC门实现“线与” 9.3.1 集电极开路门 集电极开路门简称OC门（Open Collector Gate）。以图9-17所示的74系列OC与非门为例。这种门电路可以看成是图9-7与非门电路中移去了R4、V4和VD3，再外接电源UCC′和电阻Rc而成其中，Y1=AB，Y2=CD。由图可见，只要Y1、Y2中有一个为低电平（即V5、V5′中有一个饱和导通），总的输出Y就是低电平， uy≈0；只有Y1、Y2同时为高电平（即V5、V5′ 全都截止），Y才是高电平, uy≈UCC′。 故Y=Y1·Y2。也就是说，电路通过输出线Y1和Y2的短接实现了与运算，相当于Y1、Y2后接了一个虚拟的与门。上述实现与功能的方式称为线与（Wire AND）。由于Rc阻值较大，因此无论两个OC门处于何种工作状态，UCC′ 和地之间都不会出现低阻通路，从而避免了图9-16所示的情况。 通过线与，总输出Y与输入A、B、C、D之间的逻辑关系变为 实现了与或非运算。用OC门实现与或非运算要比用其它门成本低。  由于OC门的输出高电平值近似等于外接电源电压UCC′， 因此OC门也常用作实现逻辑电平转换的接口电路。其输出管V#-5采用高反压管，耐压可达30 V以上。 需要强调的是， OC门必须外接电阻Rc和电源UCC′才能正常工作，而且Rc有取值限制。OC门的应用很广，除了能实现线与和逻辑电平的转换之外，还能实现多路信号在总线上的分时传输、 驱动显示器件和执行机构等。OC门的缺点是开关速度不够高，带负载能力也不如普通TTL门。 9.3.2 三态门 图 9-18 三态与非门 (a) 电路结构； (b) EN高电平有效的逻辑符号；(c) EN低电平有效的逻辑符号 当控制端EN为高电平 3.6 V时，up=3.6 V，二极管VD截止， 电路正常工作，Y=AB。这时Y端有两种可能的输出状态：高电平状态或者低电平状态， 究竟处于何种状态要视A、B的输入情况而定。  当EN为低电平0.3 V时，up=0.3V，故V2、V5截止而VD导通， uB4被钳位在1 V，使V4也截止。由于V4、V5同时截止，这时从Y端向里看，上、下两条支路都不通，输出既不是高电平态，也不是低电平态，而是即所谓的第三态。请注意，高阻态并不是一种逻辑状态，它只表示输出端与负载断开，两者之间不存在任何联系。 由于图9-18(a)电路在EN=1时正常工作，在EN=0时呈高阻， 因此称为控制端EN高电平有效的三态与非门，图9-18(b)是它的逻辑符号，图9-18(c)则表示控制端EN低电平有效的三态与非门， 即电路在EN=0时正常工作，在EN=1时呈高阻。  三态门普遍应用于计算机总线实现信号传输。图9-19为由三态缓冲器构成的双向总线。  此外，还有其它类型的双极型门电路，如发射极耦合逻辑ECL（Emitter-Coupled Logic）、集成注入逻辑I2L（Integrated Injunction Logic）等， 图 9-19 用三态缓冲器构成双向总线 9.4 CMOS集成门电路 9.4.1 CMOS门电路的工作原理 1. MOS管的开关特性 通常只有增强型的MOS管才能作为开关使用。以图9-20所示的N沟道增强型MOS管为例，设其开启电压为UGS(th)（UGS(th)＞0）。 图 9-20 MOS管开关特性 (a) MOS管电路； (b) 截止时的等效电路； (c) 导通时的等效电路 当栅极电压uG为低电平0 V时，uGS=0UGS(th)，管子截止，iD≈0。如果将MOS管看作一个开关的话， 此时的情况相当于开关断开，故漏极电压uD≈UDD。当uG为高电平UDD时，uGS=UDD＞UGS(th)，N型沟道形成，管子导通且工作在可变电阻区。设导通内阻为Rds，由于Rd＝Rds，故uD≈0，相当于开关闭合。开关等效电路参见图9-20(b)、 (c)。 2. CMOS非门 图 9-21 CMOS非门 CMOS电路的基本单元是非门。如图9-21所示，它由一个N沟道增强型MOS管VN和一个P沟道增强型MOS管VP组成。两管的栅极相连作为输入，漏极相连作为输出。VP的源极s2接正电源UDD，VN的源极s1接地。设VN管的开启电压为UGS(th)1（正值）， VP管的开启电压为UGS(th)2（负值），且UDD＞UGS(th)1+|UGS(th)2|。 当uA为低电平0 V时，uGS1=0＜UGS(th)1，VN截止；同时uGS2=-UD