[工学]专用集成电路设计-201010.pptVIP

专用集成电路设计 授课教师：张立文 电子信息工程学院 第六章 模拟集成电路设计基础 6.1 引言 目前，数字化已成为信号处理的主流技术，显示出越来越多的优越性。 那么，是否模拟信号处理从此变成无用的技术而被数字技术全部代替了呢? 事实并不是这样的，因为： 3、在信号处理和传输中，可能混入噪声和干扰，那么低噪声放大、弱信号放大、预滤波等模拟信号技术往往是必不可少的。 4、在宽带、高速信号处理中，特别是光信号处理与传输以及射频信号处理等领域中，数字化困难较大， 所以模拟处理方法更为常用， 这也是当前为什么模拟电路又“兴旺”起来的原因之一。 5、随着微电子技术的发展，数字处理和模拟处理往往融为一体，数模混合的片上系统“SOC” 得到进一步发展。 在一个大系统中，模拟信号处理和数字信号处理是并存的，只是占据的比例有所不同而已。典型的信号处理系统框图如图 6 - 1 所示。 ? 6.2 MOS电流源及CMOS运算放大器 6.2.1 MOS电流源 电流源特点： 电流源也就是恒流源，电流大小、方向不变。 工作在饱和区的MOS器件可以看作是一个电流源。 电流源可作为集成电路偏置和有源负载，也可作为运算单元，是十分重要的单元电路。 1. 基本电流镜及比例电流源 基本电流镜及比例电流源电路如图6-2所示。 图中V0支路为参考支路，其漏极与栅极短接，一旦电源电压加入，就可供给UGS1及参考电流Ir。V1管与V0管宽长比相同(1∶1)， V2管与V0 管宽长比为A, 即 由于UGS0= UGS1= UGS2，并且各MOS管的工艺参数相同(μn、 Cox相同， UTH相同)， 栅源电压也相同， 所以 2) 设计举例 已知下列条件： ·Ir=10μA, Io1=5 μA, Io2=20 μΑ, 电源电压UDD=3.3 V; ·已知KN=μnCox=17 μΑ/V2, UTH=0.9 V; ·1 μm工艺。 试设计一个如图6-2所示的恒流源电路。 2. 共源-共栅电流源 为了增大电流源的输出电阻，减小沟道调制效应的影响，可采用共源-共栅电流源，如下图6-3所示。 那么，UGS0=UGS3，则有 （UG-Uy=UGS3，  Uy=-UGS3+UGS0+UGS1=UGS1=Ux (6 - 7) 即 Uy=UDS2=UDS1=Ux (6 - 8) 故沟道调制效应的影响可以忽略， 所以： 6.2.2 CMOS运算放大器 1. MOS管有源负载放大器 为了增大增益，避免集成电路制造大电阻，往往采用有源负载。 由于NMOS管的性能优于PMOS管，所以放大管都用NMOS，而负载管可用增强型NMOS管、耗尽型NMOS管和PMOS管，后者构成互补型CMOS放大器。 差分放大器有其独特的优点，有源负载CMOS差分放大器是一种极为重要电路，后面将对其详细分析。 书中表6 - 2 给出了5种有源负载MOS管放大器。 E/E电路的特点是放大管和负载管均为增强型NMOS，负载管V2栅漏相接，并接至电源UDD，衬底B2接地，衬底与源极不等电位，所以必须考虑V2管的背栅效应(gmB2)。计算负载管输出电阻Ro2的等效电路如图 6 - 4(b)所示。 由图可见： 由于E/D电路负载管等效负载大于E/E电路负载管等效负载， 即Ro2(E/D)Ro2(E/E), 所以，E/D电路电压增益也大于E/E电路。 CMOS电路由CMOS管构成。V2管为PMOS， , 故 gm2=0，gmB2=0，则输出电阻：  Ro2=rds2 (6 - 13) 可见， Ro2(CMOS)Ro2(E/D)Ro2(E/E), CMOS电路的电压增益是最大的。 差分电路是有源负载差分放大器， PMOS管构成镜像电流源作为差分对管V1、 V2的漏极负载。 因为输出电流： 2. CMOS差动放大器 由图可见： ISS=AIr ，