[工学]数字模拟电子技术基础第三章.ppt

电子科学与信息工程系 The Department of Electronic Science and Information Engineering 内容提要 内容提要 第三章 门电路 一、概述 二、半导体器件的开关特性 三、CMOS门电路 TTL反相器的电压传输特性 输入端噪声容限示意图 TTL反相器的输入端等效电路 TTL反相器的输入特性 TTL反相器高电平输出等效电路 TTL反相器高电平输出特性 TTL反相器低电平输出等效电路 TTL反相器低电平输出特性 TTL反相器输入端经电阻接地 时的等效电路 TTL反相器输入端负载特性 TTL反相器的动态电压波形 TTL反相器的交流噪声容限 TTL反相器电源电流的计算 （a）vO＝VOL 的情况 （b） vO＝VOH的情况 TTL反相器的电源动态尖峰电流 TTL反相器电源尖峰电流的计算 电源尖峰电流的近似波形 TTL与非门电路 多发射极三极管 TTL或非门电路 TTL与或非门 TTL异或门 推拉式输出级并联的情况 集电极开路与非门的电路和图形符号 OC门输出并联的接法及逻辑图 计算OC门负载电阻最大值的工作状态 计算OC门负载电阻最小值的工作状态 三态输出门的电路图和图形符号 当输入VI VDD+VD时：保护二极管D1导通，输入电流 i I 迅速增加，同时将TP、TN管栅极电压钳位于VDD+VD。保证加在C2上的电压，不超过其耐压极限。 当输入VI －VD时：保护二极管D1导通，|i I| 随|VI|增加而增大。其变化斜率由R决定。 2、输出特性 当输入VI为高电平时，负载管截止，输入管导通。因此负载电流灌入输入端。低电平输出特性是灌流负载。 CMOS反相器的低电平输出特性 当输入VI为低电平时，负载管导通，输入管截止。因此负载电流是拉电流。高电平输出特性是拉流负载 不管是灌流负载还是拉流负载，负载电流的增加，都会是输出电阻Ron减小，带负载能力增加。 CMOS反相器的高电平输出特性 （三）、CMOS反相器的动态特性 1、传输延迟时间 CMOS的传输延迟时间是以输入输出波形对应边上等于最大幅度50%的两点之间的时间间隔来定义的。 VDD 和CL对传输延迟时间的影响 2、交流噪声容限： 当噪声电压的作用时间小于或接近于CMOS电路的传输延迟时间时，输入噪声容限将明显提高。而且，传输时间越长，交流噪声容限也越大。图示的曲线表明了在负载不变的情况下VDD对交流噪声容限影响的大致趋势。 3、动态功耗： 当CMOS反相器从一种稳定状态突然转变到另一种稳定状态的过程中，将产生附加的功耗，我们称之为动态功耗。 CMOS反相器的瞬时导通电流 CMOS反相器对负载电容的充、放电电流 动态功耗由两部分组成，一部分是因为T1、T2在短时间内同时导通所产生的瞬时导通功耗PT，另一部分是对于负载电容充放电所消耗的功率PC。总功耗PD。 （四）、其他类型的CMOS门电路 1、其他逻辑功能的CMOS门电路 （四）、其他类型的CMOS门电路 1、其他逻辑功能的CMOS门电路 CMOS与非门 CMOS或非门 带缓冲级的CMOS与非门电路 带缓冲级的CMOS或非门电路 漏极开路输出的与非门CC40107 CMOS传输门的电路结构和逻辑符号 CMOS传输门中两个MOS管的工作状态 CMOS双向模拟开关的电路结构和符号 CMOS模拟开关接负载电阻的情况 CMOS模拟开关的电阻特性 CMOS三态门电路结构之一 （五）、改进的CMOS门电路 1、高速CMOS门电路 高速CMOS门电路的通用系列为54HC/74HC系列。该系列产品使用+5V电源，输出高低电平与TTL电路兼容。 2、Bi—CMOS门电路 Bi—CMOS(Bipolar-CMOS)门电路是双极型门电路的简称。 它的特点是逻辑部分采用CMOS结构，输出级采用双极型三极管。因此，它兼有CMOS电路的低功耗和双极型电路低输出内阻的特优点。 （六）、CMOS门电路的正确使用 1、输入电路的静电防护 （1）在存储和运输CMOS器件时不要使用易产生静电高压的化工材料和化纤织物包装，最好采用金属屏蔽层作包装材料。 （2）组装调试时，应使用电烙铁和其他工具、仪表、工作台台面等良好接地。操作人员的服装和手套应选用无静电的原材料。 （3）不用的输入端不应悬空。 为防止由静电电压造成的破坏，应注意三点： 2、输入电流的过流保护 由于输入保护电路中的嵌位二极管电流容量有限，一般为 1mA，所以可能出现较大输入电流的场合必须采用以下保 护措施： （1）输入端接低内阻信号源