封装的超小型ESD保护器件.PDF

APPLICATION NOTE 0201 封装的超小型 ESD 保护器件 上海英联电子科技有限公司 徐宁 杨永华 一、前言 ESD 被认为是电子产品质量最大的潜在杀手，影响产品的可靠性，静电防护也就成为电子产 品质量控制的一项重要内容。最有效的 ESD 保护方法是设备的连接器或端口处放置外部保护元 件。 0201 尺寸的硅基 ESD 器件比上一代 0402 型的器件大约缩小了 70%，能够为手机、MP3 播 放器、PDA 和数码相机等便携式电子产品提供保护和提高其可靠性。上海英联电子推出的 UM5051/5052 是一款低容值（12pF）的 ESD 保护器件，实际大小仅为 0.6mm x 0.3mm x 0.3mm， 为设计师们在空间受限的应用中提供了灵活性。双向保护消除了在PCB板上安装时的方向限制， 而且也不会损失负电平信号。 二、UM5051/5052 的重要参数 英联的 UM5051、UM5052 具有低漏电流、低容值、低钳位电压等特点，DFN的封装可以有效 的降低抛料率，降低成本，增加贴片效率。0201 的超小封装，其 ESD 抗冲击性能达到了IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV (空气)和±25kV(接触) 的标准。主要参数如表 1 所示： 表 1 特性参数表 为方便理解参数，图 1为单向 ESD保护管的特性曲线图。 图 1 单向ESD 保护管特性曲线图 图 2 ESD放电波形图 1、击穿电压VBR (Reverse Breakdown Voltage) : 在指定测试电流下ESD保护管发生雪崩击穿时的 电压，它是ESD保护管最小的击穿电压。为了满足IEC61000-4-2标准，ESD保护管必须达到可以 处理最小8kV(接触)和15kV(空气)的冲击，有的半导体生产厂商在自己的产品上使用了更高的抗 冲击标准。上海英联电子的UM5051、UM5052，达到了IEC 61000-4-2 (ESD) ±30kV (空气)和 ±25kV(接触) 的标准。 2、反向关断电压V (Reverse Peak Working Voltage)和反向漏电流I (Reverse Leakage RWM D Current) ：指 ESD保护管最大连续工作的直流或脉冲电压。UM5051/UM5052的V 值为5V，可以保 RWM 护工作电压为5V的芯片。其反向漏电流小于1μA，对产品的功耗几乎没有影响。 ________________________________________________________________________ 1/4 APPLLICATION NNOTE 3、箝位位电压V (Clamping Volltage)和最大大峰值脉冲电电流 I (Maxiimum Reversse Peak Pulsee C PP Currennt)。当持续时间为 20mS 的脉冲峰值值电流 I 流过过 ESD 保护管管时，在其两两端出现的最大峰值 PP 电压为为 V 。 C