应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响Journalof.PDFVIP

第 26 卷 　第 12 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 12 2005 年 12 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S Dec . ,2005 应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响 刘玉敏1 ,2 , 　俞重远1 ,2 　杨红波1 ,2 　黄永箴3 ( 1 北京邮电大学理学院 , 北京 　100876) (2 光通信与光波技术教育部重点实验室 , 北京 　100876) (3 中国科学院半导体研究所 集成光电子学国家重点实验室 , 北京 　100083) 摘要 : 采用自组织生长应变量子点的二维轴对称模型 ,系统分析了量子点内部及周围材料的应变分布. 分别对透 镜形 、圆柱形 、圆锥形和金字塔形量子点的应变分布进行了比较. 结果表明主应变和切应变的分布受几何形状影响 比较明显 ,静水应变几乎不受几何形状改变的影响 ,无论是在中心轴路径还是量子点周边路径静水应变基本一致 , 中心轴路径无切向应变分量 ,切向应变分量主要集中在量子点的边界 ,但在量子点几何边界的中心无切向应变 ,切 向应变的极值分布在几何边界的拐点处. 关键词 : 应变 ; 量子点; 自组织 ; 低维材料 PACC : 0365 ; 2 110D ; 7280 E 中图分类号 : O469 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 中不同区域可能存在应变不完全释放和应变过释放 1 　引言 等情况 ,这对量子点材料的后续生长和材料的光电 特性有重要影响. 已经有很多理论工作者用多种方 以半导体量子点为代表的新型纳米材料以其独 法对量子点的应力分布进行了讨论 ,如分子运动学 特的量子尺寸效应 、量子隧穿、库仑阻塞以及非线性 理论[ 6 ] 、解析连续性方法[7 ] 、有限差分法和有限元 光学效应使其成为新一代光电子材料与器件的基 [ 8 ] 法 等. 分子运动学方法要利用两个或多个原子相 础[ 1 ] . 以半导体量子点为基础的量子点激光器 、量子 互作用势函数 ,因此势函数的选取非常重要 ,对于不 点太阳电池和量子计算已经成为当前研究的热点领 同的材料势函数模型及参数选择不同 ,对于 Si/ Ge , 域. 刻蚀生长量子点带来的杂质和表面污染使量子 InA s/ GaA s 量子点系统通常采用 SW 势或 Keat 点的性能与理论预期相差甚远 , 因此以应变外延为 ing 势 ,当量子点系统的原子数 目较多时 ,分子动力 代表的 St ran skiKra st anov ( SK) 生长模式已经成 学方法的效率急剧下降 , 因此分子动力学方法适合 为生长半导体量子点材料的标准. 在 SK 生长模式 描述孤立的小体积量子点系统. 解析连续性方法利 下 ,初始阶段 ,材料在衬底表面生成约 1～3 个原子 用类似静电场分析中的格林函数法 ,假定量子点埋 厚度的浸润层 ,此后由于材料高应变适配的积累导 藏于无限大或半无限大的衬底材料中 ,这样量子点 致应变释放 ,从而生