氧氩比对SnO2／Ag／SnO2透明导电膜光电性能的影响.PDF

第 卷第 期 光 子 学 报 ４１ ９ 　 　 　 Ｖｏｌ．４１Ｎｏ．９ 年 月 　　　　　　　　　　　　 ２０１２ ９ Ｓｅｔｅｍｂｅｒ２０１２ ＡＣＴＡＰＨＯＴＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡ ｐ ： ／ 犱狅犻１０．３７８８ ｚｘ１０８６ ｇ 氧氩比对 ／ ／ 透明导电膜光电性能的影响 ＳｎＯ Ａ ＳｎＯ ２ ｇ ２ 于仕辉，丁玲红，薛闯，张伟风 （河南大学 物理与电子学院；河南省光伏材料重点实验室，河南 开封 ４７５００４） 摘 要：在室温及不同的氧氩比条件下，采用射频磁控溅射 Ａ 层和直流磁控溅射 ＳｎＯ 层，在载玻 　 ｇ ２ 片衬底上制备出了 ／ ／ 多层薄膜 用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外 可见 ＳｎＯ Ａ ＳｎＯ ．   ２ ｇ ２ 近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质 实验结果表明：当氧氩比为 时，所制得 ． １∶１４ 的薄膜的光电性质优良指数最大，为 －２ －１；此时，薄膜的电阻率为 －５ · ， １．６９×１０ Ω ９．８×１０ Ω ｃｍ 方电阻为 ／ ，在 可见光区的平均光学透射率达 ；并且，在氧氩比为 ９．６８ ｓ ４００ ８００ｎｍ ８５％ １∶ Ω ｑ ～ １４时，利用射频磁控溅射 Ａｇ层和直流磁控溅射 ＳｎＯ２层在 ＰＥＴ柔性衬底上制备出了光电性质优 良的柔性透明导电膜，其在可见光区的平均光学透过率达 以上，电阻率为 －４ ，方 ８５％ １．２２×１０ ｃｍ Ω 电阻为 ／ １２．０５ ｓ． Ω ｑ 关键词：磁控溅射； ／ ／ ；氧氩比；透明导电薄膜 ＳｎＯ Ａ ＳｎＯ ２ ｇ ２ 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＮ３０５．０５ Ａ １００４４２１３２０１２０９１０８６４