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氧氩比对SnO2/Ag/SnO2透明导电膜光电性能的影响
第 卷第 期 光 子 学 报
41 9
Vol.41No.9
年 月
2012 9 Setember2012
ACTAPHOTONICASINICA p
: /
犱狅犻10.3788 zx1086
g
氧氩比对 / / 透明导电膜光电性能的影响
SnO A SnO
2 g 2
于仕辉,丁玲红,薛闯,张伟风
(河南大学 物理与电子学院;河南省光伏材料重点实验室,河南 开封 475004)
摘 要:在室温及不同的氧氩比条件下,采用射频磁控溅射 A 层和直流磁控溅射 SnO 层,在载玻
g 2
片衬底上制备出了 / / 多层薄膜 用霍尔效应测试仪、四探针电阻测试仪和紫外 可见
SnO A SnO .
2 g 2
近红外光谱仪等表征了薄膜的电学性质和光学性质 实验结果表明:当氧氩比为 时,所制得
. 1∶14
的薄膜的光电性质优良指数最大,为 -2 -1;此时,薄膜的电阻率为 -5 · ,
1.69×10 Ω 9.8×10 Ω cm
方电阻为 / ,在 可见光区的平均光学透射率达 ;并且,在氧氩比为
9.68 s 400 800nm 85% 1∶
Ω q ~
14时,利用射频磁控溅射 Ag层和直流磁控溅射 SnO2层在 PET柔性衬底上制备出了光电性质优
良的柔性透明导电膜,其在可见光区的平均光学透过率达 以上,电阻率为 -4 ,方
85% 1.22×10 cm
Ω
电阻为 /
12.05 s.
Ω q
关键词:磁控溅射; / / ;氧氩比;透明导电薄膜
SnO A SnO
2 g 2
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
TN305.05 A 1004421320120910864
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