[农林牧渔]第七章_掺杂技术-离子注入.ppt

第七章 离子注入 （Ion Implantation） 离子注入概述 最早应用于原子物理和核物理研究 提出于1950’s 1970’s中期引入半导体制造领域 离子束加工方式可分为 1、掩模方式（投影方式） 2、聚焦方式（扫描方式，或聚焦离子束（FIB）方式） 聚焦系统：用来将加速后的离子聚集成直径为数毫米的离子束。 偏转扫描系统：用来实现离子束 x、y 方向的一定面积内进行扫描。 工作室：放置样品的地方，其位置可调。 　　在实际工作中，平均投影射程 RP (?) 及标准偏差 ?RP (?)与注入能量 (KeV) 的关系可从下图 （下表）查到。 7.3 离子注入的特点 1.特点 可以独立控制杂质分布（离子能量） 和杂质浓度（离子流密度和注入时间） 各向异性掺杂 容易获得高浓度掺杂 （特别是：重杂质原子，如P和As等）。 2.离子注入与扩散的比较 3.离子注入控制 离子束流密度和注入时间控制杂质浓度 （注入离子剂量） 离子能量控制结深 杂质分布各向异性 4.阻止机制 典型离子能量：5～500keV 离子注入衬底，与晶格原子碰撞，逐渐损失其能量，最后停止下来 两种阻止机制：核碰撞和电子碰撞 4.阻止机制 核阻止 – 与晶格原子的原子核碰撞 – 大角度散射（离子与靶原子质量同数量级） – 可能引起晶格损伤（间隙原子和空位）. 电子阻止 – 与晶格原子的自由电子及束缚电子碰撞 – 注入离子路径基本不变 – 能量损失很少 – 晶格损伤可以忽略 4.阻止机制 4.阻止机制 阻止本领与离子速度 注入离子分布 阻挡 200keV 离子束的阻挡层厚度 5.注入过程:注入通道 6.沟道效应 碰撞后引起的沟道效应 碰撞后形成的沟道效应 注入过程: 沟道效应 7.阴影效应 阴影效应消除 问题 为什么不利用沟道效应在离子能量不高的情况产生深结？ 答案 离子束不是完美地平行。许多离子注入衬底后会发生许多次核碰撞，只要少数一些会进入很深的距离。 7.4 注入损伤 注入离子将能量转移给晶格原子 – 产生自由原子（间隙原子－空位 缺陷对） 自由原子与其它晶格原子碰撞 – 使更多的晶格原子成为自由原子 – 直到所有自由原子均停止下来，损伤才停止 一个高能离子可以引起数千个晶格原子位移 一个离子引起的晶格损伤 注入损伤过程 离子与晶格原子碰撞，使其脱离晶格格点 衬底注入区变为无定型结构 7.5退火的作用 杂质原子必须处于单晶结构中并与四个Si原子形成共价键才能被激活 ，donor (N-type) 或acceptor (P-type) 高温热能帮助无定型原子恢复单晶结构 热退火 热退火 热退火 热退火 退火前后的比较 快速热退火 (RTA) 高温下, 退火超越扩散 RTA (RTP) 广泛用于注入后退火 RTA 很快 (小于1分钟), 更好的片间（WTW）均匀性, 最小化杂质扩散 RTA和炉退火 问题 高温炉的温度为什么不能象RTA系统那样快速升温和降温？ 答案 高温炉有很大的热容积，需要很高的加热功率去获得快速升温。很难避免快速升温时大的温度摆动（温度过冲和下冲） 7.6注入工艺 粒子束路径 离子注入: Plasma Flooding System 7.7晶圆表面充电 注入离子使晶圆表面带正电 排斥正离子，引起离子束弯曲，造成不均匀杂质分布 电弧放电引起晶圆表面损伤 使栅氧化层击穿，降低工艺成品率 需要消除和减弱充电效应 充电效应 电荷中和系统 需要提供电子中和正离子； Plasma flooding system 电子枪 电子喷头 Plasma Flooding System Wafer Handling Ion beam diameter: ~25 mm (~1”), Wafer diameter: 200 mm (8”) or larger Needs to move beam or wafer, or both, to scan ion beam across the whole wafer – Spin wheel – Spin disk – Single wafer scan Spin Wheel Spin Disk Single Wafer Scanning System Ion Implantation: End Analyzer Faraday charge detector Used to calibrate beam current, energy and profile Ion Implantation: The Process CMOS applications CMOS ion implantation requirem