[工学]半导体器件物理-尼曼 MOS习题解答_MOS部分习题答案.pptVIP

第三部分 MOS器件习题解 第十五章 15.5 (a) VGB=0，所以 第十六章主要结论和公式 作业题16.4 作业题16.4 作业题16.8 作业题16.9 作业题16.9 作业题16.9 作业题16.13 作业题16.15 第十七章主要公式 作业题17.2 作业题17.2 作业题17.9 作业题17.9 作业题17.10 作业17.18 作业题17.20 作业题17.20 作业题17.20 作业题17.21 作业题17.21 作业题17.21 第十八章主要结论公式 作业题18.6 作业题18.8 作业题18.8 作业题18.8 作业题18.8 作业题18.15 复习内容 一、判断选择题 复习内容：每一章的习题1 二、基本概念解释 pn结的势垒电容和扩散电容， 二极管的存贮延迟时间和反向恢复时间及其物理根源 发射效率，基区输运系数，共基极电流放大系数 基区宽度调制效应和基区穿通 ICBO、ICEO、VCBO、VCEO的物理意义 MOSFET的耗尽、深耗尽和完全深耗尽 MOSFET的阈值电压、平带电压和夹断电压 增强型MOSFET和耗尽型MOSFET的区别 复习内容 三 计算综合题 1. 二极管 （1）pn结势垒区电荷、电场、电势的分布 （2）pn结的势垒高度和势垒宽度 复习内容 复习内容 （4）理想pn结的I-V特性关系式 复习内容 （6）pn结的瞬态响应 复习内容 2. 三极管 （1）三极管的基本工作原理 （2）发射区的发射效率、基区传输系数和三极管的放大系 数的定义及其与材料参数和结构参数的关系 复习内容 偏置模式 E-B极性 C-B极性 放大 正偏 反偏 饱和 正偏 正偏 截止 反偏 反偏 倒置 反偏 正偏 复习内容 （4）三极管的E、B、C各区的少子分布公式及应用 复习内容 复习内容 复习内容 3 MOSFET （1）MOS结构中半导体的表面势、费米势和任意一点的电势的定义 复习内容 （2）MOSFET的积累、平带、耗尽、耗尽-反型转折点、反 型各种不同偏置状态下的能带图、电荷块图、电容、 及?s与?F的关系 (3) 栅电压与表面势、耗尽层宽度与表面势的关系 复习内容 （3）MOSFET的阈值电压VT、平带电压VFB和夹断电压VDsat 理想MOSFET 复习内容 （4）MOSFET的平方律理论 NMOS：VT0 VGVT MOSFET截止，ID=0 VDVDsat VGVT MOSFET导通 VDVDsat 复习内容 （5）MOSFET的沟道电导和跨导 作业题18.15 （3）pn结正反向偏置时少子和电流的分布 （5）pn结定律 （3）三极管的四种偏置模式下VEB和VCB的极性 E区 C区 薄基区 （5）四种偏置模式下少子分布图 （6）三极管的输入输出特性方程：埃伯斯-莫尔方程 任一点电势 表面势 费米势 VFB=O VDsat=VG-VT 实际MOSFET VDsat=VG-VT PMOS :VT0 VGVT, MOSFET截止 VGVT, MOSFET 导通 * * 底部的pn结宽度等于热平衡时的宽度，顶部的宽度大于a (b) (c) (d) 顶部pn结的耗尽层宽度 底部pn结的耗尽层宽度 又根据（b)的结果 （e) VGB=0时的夹断电压比VGB=VGT时的夹断电压大 n型(?F0) ?s ACC(积累） DEPL（耗尽） INV（反型） 0 2 ?F 0 ACC(积累） DEPL（耗尽） INV（反型） P型(?F0) 2 ?F 平带 耗尽-反型过渡点 ?s 第十六章主要结论和公式 作业16.1 根据 5 a 积累 2 d VG=VT 1 b 平带 3 c 耗尽 4 e 反型 能带图 电容 偏置条件 积累 耗尽 ） 反型（ = 反型（ （ 根据 判断，(i)和(iv) 是错的 （iii)是正确的 ） 作业题16.13 也可根据 计算得到 作业题16.15 作业题16.15 平方律理论 体电荷理论 第十七章主要公式 作业题1