[工学]半导体制造基础第2章.docVIP

第2章 晶体生长2.2 硅悬浮区熔法（FZ） 2.2.1 FZ装置2.2.2 掺杂分布 2.2.3 FZ特点主要用于制备高阻无氧单晶硅。2.2.4 中子辐照掺杂2.3 GaAs晶体生长技术 初始材料 1.相图表示状态温度之间的关系蒸汽压液体富Ga多晶GaAs的合成 2.3.2晶体生长技术 液封直拉法Bridgman法 材料特征 晶片整形分段截取→整形滚圆→确定定位面或定位槽→切片→磨片→倒角→化学腐蚀→抛光。2.4.2晶体特征 晶体缺陷 根据大小,缺陷可以分为如下几种: ⑴ 点缺陷 点缺陷——缺陷尺度在原子量级，或者说是0维缺陷。 一般来说，不在晶格格点位置上或/和非硅原子都可视为点缺陷，① 本征点缺陷 本征点缺陷——依靠热激发而产生的点缺陷，材料本身所固有的。 自填隙硅原子并不一定非要处在真正的晶格空隙处，它可以和格点上的原子共用一个格点位置，共用一个格点的两个硅原子，其中必有一个是不正确的，位于填隙状态。 特点是： ② 质量作用定律 在稀溶液中，反应 处于平衡状态下，有 荷电空位 单受主型空位的形成反应： V 0+ e V 在平衡状态下应用质量作用定律， 得 ∵[V 0]= [V 0]i是传统意义上的空位浓度 双受主型空位V=是通过如下两个连续步骤而生成： ； 图2-15a 上述两个反应，得 空位周围有4个相毗邻的硅原子，V还可能获得3个或4个电子，成为式的受主型空位； 单施主型空位的形成反应可以表示为： 或者失去2、3或4个电子，成为式的施主型空位。 这样晶体中总的空格点浓度为： ④ 荷电自填隙 对自填隙缺陷同样存在荷电状态：， 和上述类似的推导，也会获得相似的表达式。 ⑤ 荷电点缺陷能级 用电子学技术已测定了单荷电（+，-）和双荷电空位（=，++）等点电荷在禁带中的能级。 图2-15b 荷电点缺陷能级图 ⑵ 线缺陷——位错 位错不会终止在晶体内部，只会中止在晶体表面或自身闭合形成位错环；但位错线可以被杂质沉积相所钉扎。 基本运动：滑移、攀移（如刃位错吸收Iself而延伸；或吸收V而收缩）。 位错的形成能，一般为14~27eV；位错的运动能，仅≈0.15eV图2-16位错线周围是晶格畸变区，存在内应力，点缺陷和杂质易于向位错线聚集，以缓解内应力，或换言之位错线具有吸收点缺陷和杂质的作用。⑶ 面缺陷——层错 如，孪晶、晶界； 对单晶材料而言，典型的面缺陷是堆垛层错——原子层排列次序发生错误而产生的一种缺陷。 缺少一层原子面而产生的层错叫本征层错（ISF）；多于一层原子面而产生的层错叫非本征层错（ESF）。 如 ACBACBACBACBA… ACBCB ACBACB…本征层错 ACBACBACBACABA…非本征层错层错或者中止在晶体表面或者中止于位错线上 图2-17a 金刚石原胞 图2-17b 层错 体缺陷——三维缺陷 如杂质或掺杂原子的沉积物。这类缺陷产生原因是因为进入晶体的每种杂质都有一个固溶度，即主晶格可接受的掺杂浓度。图2-18给出硅中各种元素的固溶度与温度的关系。 因此，若在一个给定温度下，引入硅中的杂质浓度达到固溶度，随后晶体冷却到较低的温度，这时晶体只能通过淀积出超过固溶度的杂质原子来达到平衡状态。 杂质的沉积相都是没有电活性，且它们和晶格之间的体积失配还会引起位错。 图2-18晶体缺陷对完美晶体而言虽然名为缺陷，但在许多场合和工艺 步骤中却扮演着重要角色，是有益的；而另一些情况，则需要将缺陷尽量减少。2. 材料特性 表比较了硅材料在ULSI中的特征和应达到的指标 特 性 特 征 ULSI的指标 CZ F N型掺Ph电阻率（Ω·㎝） 1~50 1~300及以上 5~50及以上 N型掺Sb电阻率（Ω·㎝） 0.005~10 — 0.001~0.02 P型掺Bor电阻率（Ω·㎝） 0.005~50 1~300 5~50及以上 电阻梯度（四探针法）% 5~10 20 1 少数载流子寿命（μs） 30~300 50~500 300~1000 氧（ppm） 5~25 未探获 均匀且可获 碳（ppm） 1~5 0.1~1 0.1 原生位错密度（个／㎝２） ≤500 ≤500 ≤1 直径（mm） 上限200 上限100 上限300 单片弯曲度（μm） ≤ 25 ≤ 25 5 单片锥度（μm） ≤ 15 ≤ 15 5 表面平整度（μm） ≤ 5 ≤ 5 1 重金属杂质（ppb） ≤ 1 ≤0.01 0.001 由表可见：C